| 研究課題/領域番号 |
18063005
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| 研究種目 |
特定領域研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 審査区分 |
理工系
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
高木 信一 東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授 (30372402)
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| 研究分担者 |
菅原 聡 東京工業大学, 理工学研究科附属像情報工学研究施設, 准教授 (40282842)
竹中 充 東京大学, 大学院・工学系研究科, 准教授 (20451792)
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| 連携研究者 |
竹中 充 東京大学, 大学院・工学系研究科, 准教授 (20451792)
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| 研究期間 (年度) |
2006 – 2009
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| 研究課題ステータス |
完了 (2009年度)
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| 配分額 *注記 |
108,400千円 (直接経費: 108,400千円)
2009年度: 28,100千円 (直接経費: 28,100千円)
2008年度: 28,100千円 (直接経費: 28,100千円)
2007年度: 26,100千円 (直接経費: 26,100千円)
2006年度: 26,100千円 (直接経費: 26,100千円)
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| キーワード | ゲルマニウム / MOSFET / GOI / 移動度 / 面方位 / スピン / 強磁性 |
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| 研究概要 |
高性能Ge素子実現のため、(110)面GOI構造を実現し、高移動度pMOSFETを実証した。また、熱酸化膜GeO2/Ge MOS界面の形成と評価を行い、低界面準位MOS界面であることを実証するとともに、この界面を用いて、高電子移動度・正孔移動度のMOSFETを実現した。また、リーク電流低減方法として、原子状水素アニールの有効性を実証した。
更に、フルホイスラー合金を用いたGeチャネルスピンMOSFETのためのハーフメタル・ソース/ドレイン技術の開発を行い、エピタキシャルGe/超薄膜SOI/埋め込み酸化膜/Si基板上の急速熱アニール法による形成法を提案し、規則度の高いCo2FeGeの形成に成功した。
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