| 研究課題/領域番号 |
18080007
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| 研究種目 |
特定領域研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 審査区分 |
理工系
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| 研究機関 | 名古屋大学 |
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研究代表者 |
藤巻 朗 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 教授 (20183931)
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| 研究分担者 |
赤池 宏之 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 助教 (20273287)
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| 研究期間 (年度) |
2006 – 2009
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| 研究課題ステータス |
完了 (2009年度)
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| 配分額 *注記 |
56,200千円 (直接経費: 56,200千円)
2009年度: 4,200千円 (直接経費: 4,200千円)
2008年度: 14,500千円 (直接経費: 14,500千円)
2007年度: 12,600千円 (直接経費: 12,600千円)
2006年度: 24,900千円 (直接経費: 24,900千円)
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| キーワード | 超伝導 / 単一磁束量子 / 局在電磁波 / ジョセフソン接合 / 窒化ニオブ / RbN / 単一磁束量子回路 / 二硼化マグネシウム / NbN / オーバーダンプ特性 / ジョセフソン結合 / 反応性スパッタリング / 成膜条件 / 反応性イオンエッチング |
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| 研究概要 |
NbNはNbに比べ1.5倍の超伝導エネルギーギャップを有する。この特長を活かし、回路の安定動作に使われるシャント抵抗を自身に内包させ、かつ高速性につながる特性電圧の高いジョセフソン接合の作製を目指した。Alをプラズマ窒化したトンネル障壁層を用いることで、これまでにない特性の再現性と制御性を示すことに成功した。また、トンネル障壁層に接する形で常伝導NbN_x層を配置することで目標とした特性の獲得にも成功した。
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