| 配分額 *注記 |
49,660千円 (直接経費: 38,200千円、間接経費: 11,460千円)
2008年度: 11,570千円 (直接経費: 8,900千円、間接経費: 2,670千円)
2007年度: 17,420千円 (直接経費: 13,400千円、間接経費: 4,020千円)
2006年度: 20,670千円 (直接経費: 15,900千円、間接経費: 4,770千円)
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| 研究概要 |
電力効率アップのための次世代電子デバイス,化合物半導体SiC, GaN電極形成とその配線接合機構の解析を実施した.SiCに関しては,6H-SiCを用い,SiC/Ti/Al二層膜の二段昇温法を提案し,その際,生じる界面反応機構の解析を行った.その結果,Ti3SiC2(t1)相がほぼ均一に層形成する機構を見出した.GaNに関しては,p-GaNにおいて,Ni電極反応の結果,気孔(N2ガス)が電極界面に発生することを見出し,その機構を論じた.n-GaNにおいては,GaN/Ti/Al/Ni/Au膜との高温反応(873K)によってTiN薄膜が形成する機構を解析し,電子顕微鏡的に考察し,その条件最適化を論じている.一方,パワーデバイスに使用されるAl太線超音波配線接合プロセスに関して,接合面を直接その場観察した.半導体電極形成プロセスから第一実装への固相接合条件の最適化を検討している.
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