| 研究課題/領域番号 |
18360174
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 島根大学 |
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研究代表者 |
土屋 敏章 島根大学, 総合理工学部, 教授 (20304248)
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| 研究分担者 |
室田 淳一 東北大学, 電気通信研究所, 教授 (70182144)
櫻庭 政夫 東北大学, 電気通信研究所, 准教授 (30271993)
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| 連携研究者 |
室田 淳一 東北大学, 電気通信研究所, 教授 (70182144)
櫻庭 政夫 東北大学, 電気通信研究所, 准教授 (30271993)
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| 研究協力者 |
竹廣 忍 東北大学, 電気通信研究所, 助手
三島 誠史 島根大学, 総合理工学研究科, 博士前期課程
吉田 啓一 島根大学, 総合理工学研究科, 博士前期課程
森 祐樹 島根大学, 総合理工学研究科, 博士前期課程
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| 研究期間 (年度) |
2006 – 2008
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| 研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
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| 配分額 *注記 |
16,030千円 (直接経費: 14,800千円、間接経費: 1,230千円)
2008年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2007年度: 4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
2006年度: 10,700千円 (直接経費: 10,700千円)
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| キーワード | マイクロ・ナノデバイス / 半導体超微細化 / 電子デバイス・機器 / SiGe / ヘテロ界面 / チャージポンピング法 / MOS |
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| 研究概要 |
ポストスケーリングデバイスとして有望視されているSiGe/SiヘテロチャネルMOSデバイスにおいて,重要なチャネル部に導入されたSiGe/Siヘテロ界面について,その電気的特性を評価する手法を開発し,電気的品質やジュール熱による安定性を明らかにした.これらの結果は,非古典的ナノヘテロデバイス実現に向けて大きな寄与をするものである.
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