| 研究課題/領域番号 |
18560327
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
池田 誠 東京大学, 大規模集積システム設計教育研究センター, 准教授 (00282682)
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| 研究分担者 |
佐々木 昌浩 東京大学, 大規模集積システム設計教育研究センター, 助教 (50339701)
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| 研究期間 (年度) |
2006 – 2008
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| 研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
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| 配分額 *注記 |
4,030千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 630千円)
2008年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2007年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
2006年度: 1,300千円 (直接経費: 1,300千円)
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| キーワード | 電子デバイス / 電子機器 / マスクレイアウト設計 / OPC / 網羅的セルレイアウト生成 / セルリーク電流最小化 / セル歩留まり / 焦点深度 / 露光時間 / セルレイアウト自動合成 / クリティカルエリア / レイアウト設計 / 光学近接効果 / 光学近接効果補正 / セルレイアウト / 歩留まり / 設計製造性 |
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| 研究概要 |
集積回路の製造において用いられる微細なパターンの光転写において不可避となっている光学近接効果補正に対して、本研究では、設計パターンと製造されるパターンから逆問題を解くことにより補正を実施する手法の検討、パターン転写による製造不良を削減可能であることを示した。さらに、転写におけるばらつきがディジタル設計向けのセルにおける遅延、リークに与える影響の検討を行い、光学近接効果を考慮した場合のセルレイアウトの最適化によりセルのリーク電力低減に効果的であることを示した。
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