| 研究課題/領域番号 |
18560334
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 神戸大学 |
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研究代表者 |
土屋 英昭 神戸大学, 大学院・工学研究科, 准教授 (80252790)
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| 研究期間 (年度) |
2006 – 2009
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| 研究課題ステータス |
完了 (2009年度)
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| 配分額 *注記 |
4,110千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 810千円)
2009年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2008年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2007年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2006年度: 600千円 (直接経費: 600千円)
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| キーワード | 電子デバイス / 集積回路 / ナノスケールMOSFET / バリスティック輸送 / 量子補正モンテカル法 / ショットキーMOSFET / 高移動度チャネルMOSFET / 電流駆動力 / ナノワイヤトランジスタ / ウィグナー関数法 / 電子デバイス・集積回路 / 量子効果 / 準バリスティック輸送 / 量子補正モンテカル / 非Si材料MOSFET / テクノロジーブースター / 新チャネル構造MOSFET / 3次元構造MOSFET / 量子補正モンテカルロ法 / 粒子分割法 / 量子閉じ込め効果 / 後方散乱 |
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| 研究概要 |
次世代の超高性能情報処理回路を実現する新型トランジスタの設計ツールの開発と、新材料及び新構造を導入する際の設計指針について研究を行った。その結果、新材料として注目されるIII-V族化合物半導体を実用化するには、トランジスタの電極(ソース・ドレイン)構造の設計が重要であること、また、新型ナノワイヤ構造トランジスタでは、準弾道輸送による性能向上が期待できる半面、量子力学的トンネル効果による漏れ電流の増大が微細化限界になり得ることを見出した。上記の成果はいずれも、新型トランジスタの研究開発において大変重要な知見を与えている。
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