| 研究課題/領域番号 |
18H01700
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
小区分26020:無機材料および物性関連
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| 研究機関 | 東京工業大学 |
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研究代表者 |
平松 秀典 東京工業大学, 科学技術創成研究院, 准教授 (80598136)
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| 研究期間 (年度) |
2018-04-01 – 2020-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2019年度)
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| 配分額 *注記 |
17,550千円 (直接経費: 13,500千円、間接経費: 4,050千円)
2019年度: 4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円)
2018年度: 9,750千円 (直接経費: 7,500千円、間接経費: 2,250千円)
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| キーワード | 磁性体 / 超伝導 / 半導体 / 極薄膜 / トランジスタ |
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| 研究成果の概要 |
本研究課題では、特徴的な結晶構造を有する電子相関の強い「絶縁体」（※絶縁体＝ギャップが開いているものすべてとする）化合物に着目し、それらの高品質な試料への高濃度キャリアドープによって、主に下記2点の新しい電子・磁気機能の発現を達成した。1. 絶縁体硫化物SrHfS3へのp型＆n型キャリアドープと緑色発光 2. ZrCuSiAs型SmFeAsOへの高濃度キャリアドープと48ケルビンの高温超伝導
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
全く新しい研究アプローチにより、非ドープでは絶縁体とされる新物質への電子・磁気機能発現につなげたことは、これからの新機能物質探索の礎となることが期待できる。SrHfS3は、III-V族化合物を利用して現在実用化されている発光ダイオードが抱える致命的な問題の「グリーンギャップ」（緑色の発光効率だけが悪い）を解決することができる可能性を秘めた新物質であり、SmFeAsOは、高濃度キャリアドープによって50ケルビン程度の超伝導を示すことから、高価な液体ヘリウムを使うことなく、液体水素（温度＝20ケルビン）を利用した医療機器MRIなどで使われている超伝導磁石への将来応用が期待できる。
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