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結晶成長インフォマティクスの方法論の構築

研究課題

研究課題/領域番号 18H03839
研究種目

基盤研究(A)

配分区分補助金
応募区分一般
審査区分 中区分26:材料工学およびその関連分野
研究機関名古屋大学

研究代表者

宇治原 徹  名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 教授 (60312641)

研究分担者 佐藤 正英  金沢大学, 総合メディア基盤センター, 教授 (20306533)
原田 俊太  名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 准教授 (30612460)
岡野 泰則  大阪大学, 基礎工学研究科, 教授 (90204007)
研究期間 (年度) 2018-04-01 – 2021-03-31
研究課題ステータス 完了 (2021年度)
配分額 *注記
44,200千円 (直接経費: 34,000千円、間接経費: 10,200千円)
2020年度: 14,950千円 (直接経費: 11,500千円、間接経費: 3,450千円)
2019年度: 14,430千円 (直接経費: 11,100千円、間接経費: 3,330千円)
2018年度: 14,820千円 (直接経費: 11,400千円、間接経費: 3,420千円)
キーワード結晶成長 / プロセスインフォマティクス / SiC / 機械学習 / 最適化 / シミュレーション
研究成果の概要

素材開発は20年以上かかると言われる。その大半がプロセス開発である。本研究の究極的な目的は、機械学習などのインフォマティクス技術を用いてプロセス開発のスピードを圧倒的に向上させることである。我々は溶液成長法を用いて圧倒的に高品質なSiC結晶を実現してきた。次は大口径化である。高品質化においては結晶成長表面に形成されるマクロステップ構造が鍵となる。本研究では、最初にマクロな溶液内流動とマクロステップ構造の関係を反映したマルチフィジクスシミュレーションを構築した。次に、機械学習を組み合わせることで、表面構造を潜在空間で表現する手法を構築した。

研究成果の学術的意義や社会的意義

ここで構築する方法論は、シミュレーションさえできれば、気相成長から溶液成長、バルク成長から薄膜成長まで、応用可能である。また、結晶成長に限るものではない。これらのプロセスにおいて、開発のスピードを遅らせてきた「最適化」、この最も時間を要していたところを一瞬にして突破できるようになる。さらに本研究では、シミュレーションと機械学習の一つである深層学習で、最適解を高速検索するシステムを開発する。結晶成長プロセスへの適用に際して二つの課題があり、一つはデータ不足であり、もう一つは「形状」の特徴量化である。これらを解決している。

報告書

(4件)
  • 2021 研究成果報告書 ( PDF )
  • 2020 実績報告書
  • 2019 実績報告書
  • 2018 実績報告書
  • 研究成果

    (24件)

すべて 2022 2021 2019 2018 その他

すべて 国際共同研究 (3件) 雑誌論文 (7件) (うち国際共著 4件、 査読あり 7件) 学会発表 (13件) (うち国際学会 10件、 招待講演 10件) 産業財産権 (1件)

  • [国際共同研究] ビクトリア大学(カナダ)

    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
  • [国際共同研究] ニューヨーク州立大学(米国)

    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
  • [国際共同研究] University of Victoria(カナダ)

    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
  • [雑誌論文] Geometrical design of a crystal growth system guided by a machine learning algorithm2021

    • 著者名/発表者名
      Yu Wancheng、Zhu Can、Tsunooka Yosuke、Huang Wei、Dang Yifan、Kutsukake Kentaro、Harada Shunta、Tagawa Miho、Ujihara Toru
    • 雑誌名

      CrystEngComm

      巻: 23 号: 14 ページ: 2695-2702

    • DOI

      10.1039/d1ce00106j

    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Adaptive process control for crystal growth using machine learning for high-speed prediction: application to SiC solution growth2021

    • 著者名/発表者名
      Dang Yifan、Zhu Can、Ikumi Motoki、Takaishi Masaki、Yu Wancheng、Huang Wei、Liu Xinbo、Kutsukake Kentaro、Harada Shunta、Tagawa Miho、Ujihara Toru
    • 雑誌名

      CrystEngComm

      巻: 23 号: 9 ページ: 1982-1990

    • DOI

      10.1039/d0ce01824d

    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Explainable machine learning for the analysis of transport phenomena in top-seeded solution growth of SiC single crystal2021

    • 著者名/発表者名
      TAKEHARA Yuto、SEKIMOTO Atsushi、OKANO Yasunori、UJIHARA Toru、DOST Sadik
    • 雑誌名

      Journal of Thermal Science and Technology

      巻: 16 号: 1 ページ: JTST0009-JTST0009

    • DOI

      10.1299/jtst.2021jtst0009

    • NAID

      130007965495

    • ISSN
      1880-5566
    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
    • 査読あり / 国際共著
  • [雑誌論文] Application of C-face dislocation conversion to 2 inch SiC crystal growth on an off-axis seed crystal2019

    • 著者名/発表者名
      Liu Xinbo、Zhu Can、Harada Shunta、Tagawa Miho、Ujihara Toru
    • 雑誌名

      CrystEngComm

      巻: 21 号: 47 ページ: 7260-7265

    • DOI

      10.1039/c9ce01338e

    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Three-dimensional numerical analysis of Marangoni convection occurring during the growth process of SiC by the RF-TSSG method2019

    • 著者名/発表者名
      Wang L.、Horiuchi T.、Sekimoto A.、Okano Y.、Ujihara T.、Dost S.
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 520 ページ: 72-81

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2019.05.017

    • 関連する報告書
      2019 実績報告書 2018 実績報告書
    • 査読あり / 国際共著
  • [雑誌論文] Adjoint-based sensitivity analysis for the optimal crucible temperature profile in the RF-Heating TSSG-SiC crystal growth process2019

    • 著者名/発表者名
      Horiuchi Takashi、Wang Lei、Sekimoto Atsushi、Okano Yasunori、Ujihara Toru、Dost Sadik
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 517 ページ: 59-63

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2019.04.001

    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 査読あり / 国際共著
  • [雑誌論文] The Effect of Crucible Rotation and Crucible Size in Top-Seeded Solution Growth of Single-Crystal Silicon Carbide2019

    • 著者名/発表者名
      Horiuchi Takashi、Wang Lei、Sekimoto Atsushi、Okano Yasunori、Yamamoto Takuya、Ujihara Toru、Dost Sadik
    • 雑誌名

      Crystal Research and Technology

      巻: 54 号: 5 ページ: 1900014-1900014

    • DOI

      10.1002/crat.201900014

    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 査読あり / 国際共著
  • [学会発表] デジタルツインを用いた結晶成長プロセス最適化技術(SiC溶液成長を中心に)2022

    • 著者名/発表者名
      宇治原徹
    • 学会等名
      CVD反応分科会第35回シンポジウム
    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] 大口径SiC結晶成長のためのプロセスインフォマティクス技術の開発2021

    • 著者名/発表者名
      宇治原徹
    • 学会等名
      先進セラミックス学振124委員会 第166回講演会
    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] 溶液法による6インチSiC結晶の成長とそれに活用したプロセス・インフォマティクス技術2021

    • 著者名/発表者名
      宇治原徹
    • 学会等名
      応用物理学会先進パワー半導体分科会第8回講演会
    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] Machine learning for SiC crystal growth (modeling, optimization and visualization)2019

    • 著者名/発表者名
      T. Ujihara
    • 学会等名
      International Symposium & School on Crystal Growth Fundamentals
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Threading Screw Dislocations Conversion and Suppression of Inclusions in 3-inch 4° off-axis C-face 4H-SiC Solution Growth with Pure Si2019

    • 著者名/発表者名
      TAKAMA UNNO, CAN ZHU, SHUNTA HARADA, HARUHIKO KOIZUMI, MIHO TAGAWA, TORU UJIHARA
    • 学会等名
      ICSCRM2019
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] The control of conduction type in high quality bulk solution growth of SiC2019

    • 著者名/発表者名
      Can Zhu, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara
    • 学会等名
      ICSCRM2019
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Application of high-quality SiC solution growth to large size crystal2019

    • 著者名/発表者名
      Can Zhu, Tomoki Endo, Takama Unno, Haruhiko Koizumi, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara
    • 学会等名
      ICSCRM2019
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] PREDICTION MODEL OF COMPUTATIONAL FLUID DYNAMICS BASED ON NEURAL NETWORK CONSTRUCTED BY MACHINE LEARNING AND PROCESS OPTIMIZATION OF SIC SOLUTION GROWTH2019

    • 著者名/発表者名
      T. Ujihara, Y. Tsunooka, H. Lin, C. Zhu, T. Narumi, K. Kutsukake, S. Harada, M. Tagawa
    • 学会等名
      ICCGE-19
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Application of Machine Learning for High Quality SiC Crystal Growth2019

    • 著者名/発表者名
      T. Ujihara
    • 学会等名
      the 5th International Conference on Advanced Electromaterials (ICAE 2019)
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] The control of conduction type in high quality bulk solution growth of SiC2019

    • 著者名/発表者名
      Can Zhu, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara
    • 学会等名
      the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Threading Screw Dislocations Conversion and Suppression of Inclusions in 3-inch 4° off-axis C-face 4H-SiC Solution Growth with Pure Si2019

    • 著者名/発表者名
      TAKAMA UNNO, CAN ZHU, SHUNTA HARADA, HARUHIKO KOIZUMI, MIHO TAGAWA, TORU UJIHARA
    • 学会等名
      the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] ESTIMATION OF HIGH-TEMPERATURE PHYSICAL PROPERTIES BY MACHINE LEARNING TOWARD ACCURATE NUMERICAL MODELING OF CRYSTAL GROWTH2019

    • 著者名/発表者名
      K. Ando, H. Lin, Y. Tsunooka, T. Narumi, C. Zhu, K. Kutsukake, S. Harada, K. Matsui, I. Takeuchi, Y. Koyama, Y. Kawajiri, M. Tagawa, T. Ujihara
    • 学会等名
      the 19th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-19)
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] PREDICTION MODEL OF COMPUTATIONAL FLUID DYNAMICS BASED ON NEURAL NETWORK CONSTRUCTED BY MACHINE LEARNING AND PROCESS OPTIMIZATION OF SIC SOLUTION GROWTH2019

    • 著者名/発表者名
      T. Ujihara, Y. Tsunooka, H. Lin, C. Zhu, T. Narumi, K. Kutsukake, S. Harada, M. Tagawa
    • 学会等名
      the 19th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-19)
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [産業財産権] 結晶成長条件の決定方法2018

    • 発明者名
      朱燦, 遠藤友樹, 原田俊太, 宇治原徹
    • 権利者名
      朱燦, 遠藤友樹, 原田俊太, 宇治原徹
    • 産業財産権種類
      特許
    • 出願年月日
      2018
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書

URL: 

公開日: 2018-04-23   更新日: 2024-12-25  

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