| 研究課題/領域番号 |
18H03866
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
中区分28:ナノマイクロ科学およびその関連分野
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| 研究機関 | 九州大学 |
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研究代表者 |
木村 崇 九州大学, 理学研究院, 教授 (80360535)
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| 研究分担者 |
山田 和正 九州大学, 理学研究院, 助教 (30380562)
大西 紘平 九州大学, 理学研究院, 助教 (30722293)
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| 研究期間 (年度) |
2018-04-01 – 2021-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2021年度)
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| 配分額 *注記 |
44,980千円 (直接経費: 34,600千円、間接経費: 10,380千円)
2020年度: 11,570千円 (直接経費: 8,900千円、間接経費: 2,670千円)
2019年度: 11,570千円 (直接経費: 8,900千円、間接経費: 2,670千円)
2018年度: 21,840千円 (直接経費: 16,800千円、間接経費: 5,040千円)
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| キーワード | 磁歪 / 磁気異方性 / アクチュエータ / 強磁性共鳴 / スピン波 / スピン注入 / 熱スピン注入 |
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| 研究成果の概要 |
本研究では、これまでバルク材料、及び磁場駆動でのみ利用されていた磁歪効果を、スピントロニクス技術の発展により開発された高品質薄膜制御技術を用いて、磁歪材料の薄膜化を行い、フレキシブル気シート上および誘電体基板上に磁歪薄膜を作成し、磁気異方性の制御を実証した。更に、スピントロニクス分野で確立されたスピン注入技術を用いて、磁場を用いない磁歪制御技術の確立を目指した。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
誘電体に電場を加えた際に変位が生じる圧電効果と同様、磁性体に磁場を加えると変位が生じる磁歪効果がある。この磁歪効果は、磁場駆動のため用途が限られていたが、大きな変位を示す材料の発見やアモルファス金属による等方的な磁歪形成など、圧電体にはない数多くの利点を持つ。そこで本研究では、スピントロニクス分野で確立されたスピン注入技術を用いて、磁場を用いない磁歪制御技術を確立し、磁気エネルギーを効果的に力学的エネルギーに変換する技術の開発を目指す。
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