| 研究課題/領域番号 |
18K04229
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
小区分21050:電気電子材料工学関連
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| 研究機関 | 山梨大学 |
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研究代表者 |
有元 圭介 山梨大学, 大学院総合研究部, 准教授 (30345699)
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| 研究分担者 |
山中 淳二 山梨大学, 大学院総合研究部, 准教授 (20293441)
澤野 憲太郎 東京都市大学, 理工学部, 教授 (90409376)
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| 研究期間 (年度) |
2018-04-01 – 2021-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2020年度)
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| 配分額 *注記 |
4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
2020年度: 390千円 (直接経費: 300千円、間接経費: 90千円)
2019年度: 3,250千円 (直接経費: 2,500千円、間接経費: 750千円)
2018年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
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| キーワード | 半導体結晶 / 電子デバイス / 結晶欠陥 / キャリア移動度 / 歪みシリコン / 高移動度トランジスター / シリコンゲルマニウム |
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| 研究成果の概要 |
コンピュータ・通信端末から電気自動車に至るまで、現代社会の基盤技術は半導体集積回路により支えられている。近年の需要の急拡大からも、様々な分野においてシリコン(Si)系半導体への依存度の高さが分かる。半導体素材の大幅な特性向上は多くの分野にインパクトを与え得る。我々は歪みSi/SiGe/Si(110)構造を用いてキャリア移動度の向上を目指している。この構造で実際に正孔移動度の大幅な向上が確認されている。本研究では更なる高移動度化を実現するため、イオン注入法や成膜方法が結晶欠陥の形成過程や表面平坦性に及ぼす影響等を調べ、更なる高移動度化につながる知見を得ることが出来た。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
半導体集積回路の性能向上を支える材料技術としてキャリア移動度の向上を目指した研究が精力的に行われている。我々は高移動度半導体構造の一つとして歪みSi/SiGe/Si(110)構造に注目している。これはGeに迫る高正孔移動度を低い材料費・製造コストで実現できる優れた薄膜構造である。本研究では薄膜の形成プロセスが結晶欠陥形成や表面形状の発達過程に及ぼす影響及び結晶欠陥の形態が電気伝導特性に及ぼす影響について基礎的な知見を得ることができた。これらの研究結果は結晶欠陥の制御と表面平坦性の向上を可能とするものであり、更なる高移動度化の実現につながる成果である。
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