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量子情報デバイス応用に向けたEu添加GaNナノコラム結晶の作製と量子光学物性評価

研究課題

研究課題/領域番号 18K04233
研究種目

基盤研究(C)

配分区分基金
応募区分一般
審査区分 小区分21050:電気電子材料工学関連
研究機関豊橋技術科学大学

研究代表者

関口 寛人  豊橋技術科学大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 (00580599)

研究期間 (年度) 2018-04-01 – 2021-03-31
研究課題ステータス 完了 (2020年度)
配分額 *注記
4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
2020年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2019年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2018年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
キーワードユーロピウム / 窒化ガリウム / ナノコラム / GaN / Eu / 光物性 / 希土類元素 / 量子情報デバイス / フォトニック結晶
研究成果の概要

光量子コンピュータは超並列計算を実現し,人工知能の発展,自然現象の予測の開発と多岐にわたる分野への貢献がきたいできるため,その要素技術の開発は急務である。エネルギー揺らぎの少ない量子準位をもつEu原子を活用すれば長い量子情報保持時間をもつ量子メモリが実現できるが、微細集積化に適した母材は見つかっていない。この研究では,Eu原子を添加した窒化物半導体に着目した。Eu原子の量子準位の効率的な利用のために結晶中に欠陥を含まず、ひずみ緩和効果が発現する柱状ナノ結晶を用いて高品質化を目指し,量子準位の均一化を図るためナノ結晶の形状制御技術に取り組み,集積可能な量子情報デバイス実現への可能性を調べた。

研究成果の学術的意義や社会的意義

結晶中にEu原子を効率よく活性化するために,Euを均一に取り込みかつ,光学遷移を活性化させる必要がある。しかしながら,活性化のための抜本的な解決策は見出されておらず,今回取り組んだナノコラム結晶の利用はこの問題を解決できる可能性を秘めている。選択成長技術を見出すことで,均一な取り込み制御と発光効率の向上が期待でき,その可能性の模索が行われた。このような技術が見出されれば,量子コンピューティングだけでなく,室温で明るい単一光源や外部環境に依存せず高い波長安定性を有する赤色発光デバイス,超小型増幅器の集積化にも貢献すると期待できる。

報告書

(4件)
  • 2020 実績報告書   研究成果報告書 ( PDF )
  • 2019 実施状況報告書
  • 2018 実施状況報告書
  • 研究成果

    (17件)

すべて 2021 2019 2018

すべて 雑誌論文 (4件) (うち査読あり 4件) 学会発表 (13件) (うち国際学会 6件、 招待講演 1件)

  • [雑誌論文] Observation of single optical site of Eu and Mg codoped GaN grown by NH3-source molecular beam epitaxy2019

    • 著者名/発表者名
      H. Sekiguchi, M. Sakai, T. Kamada, K. Yamane, H. Okada, and A. Wakahara
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics

      巻: 125 号: 17 ページ: 175702-175702

    • DOI

      10.1063/1.5090893

    • 関連する報告書
      2019 実施状況報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Fabrication and optical properties of regularly arranged GaN-based nanocolumns on Si substrate2019

    • 著者名/発表者名
      1.H. Sekiguchi, M. Sakai, T. Kamada, K. Yamane, H. Okada, and A. Wakahara
    • 雑誌名

      Journal of Vacuum Science and Technology B

      巻: 37 号: 3 ページ: 031207-031207

    • DOI

      10.1116/1.5088160

    • 関連する報告書
      2018 実施状況報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Regularly arranged Eu-doped GaN nanocolumns grown by RF-plasma-assisted molecular beam epitaxy through Ti-mask selective-area growth technique2019

    • 著者名/発表者名
      H. Sekiguchi, K. Date, T. Imanishi, H. Tateishi, K. Yamane, H. Okada, K. Kishino, and A. Wakahara
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 511 ページ: 73-78

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2019.01.032

    • 関連する報告書
      2018 実施状況報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Self-organized Eu doped GaN nanocolumn light-emitting diode grown by RF-molecular-beam epitaxy2019

    • 著者名/発表者名
      A. Sukegawa, H. Sekiguchi, Y. Tamai, S. Fujiwara, K. Yamane, H. Okada, K. Kishino, and A. Wakahara
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi A

      巻: 216 ページ: 1800501-1800501

    • DOI

      10.1002/pssa.201800501

    • 関連する報告書
      2018 実施状況報告書
    • 査読あり
  • [学会発表] RF-MBE法によるEu添加GaN薄膜および自己形成ナノコラムにおけるゼーマン分裂2021

    • 著者名/発表者名
      奥野 智大、小野田 稜太、関口 寛人、若原 昭浩、中岡 俊裕
    • 学会等名
      第68回応用物理学会春季学術講演会
    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
  • [学会発表] Possibility of Single Optical Site of Eu and Mg Codoped GaN2019

    • 著者名/発表者名
      Hiroto Sekiguchi, Masaru Sakai and Akihiro Wakahara
    • 学会等名
      13th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-13)
    • 関連する報告書
      2019 実施状況報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] 濃度の異なるEu添加GaN薄膜におけるゼーマン分裂2019

    • 著者名/発表者名
      小野田 稜太, 関口 寛人, 若原 昭浩, 中岡 俊裕
    • 学会等名
      第80回応用物理学会秋季学術講演会
    • 関連する報告書
      2019 実施状況報告書
  • [学会発表] GaN ナノコラムの結晶成長と光デバイス応用2019

    • 著者名/発表者名
      関口 寛人
    • 学会等名
      2019年日本表面真空学会中部支部研究会 『ナノ結晶成長・評価・応用の研究最前線』
    • 関連する報告書
      2019 実施状況報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] Growth of Eu doped GaN nanocolumns by rf-plasma-assisted molecular beam epitaxy2019

    • 著者名/発表者名
      H. Sekiguchi, A. Sukegawa, K. Yamane, H. Okada, K. Kishino, and A. Wakahara
    • 学会等名
      UK Nitride Consortium
    • 関連する報告書
      2018 実施状況報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] GaNナノコラムの光共振器構造の設計と作製2019

    • 著者名/発表者名
      高木俊裕,関口寛人,玉井良和,山根啓輔,岡田浩,岸野克巳,若原昭浩
    • 学会等名
      第66回応用物理学会春季学術講演会
    • 関連する報告書
      2018 実施状況報告書
  • [学会発表] RF-MBE法を用いたAlN/Si基板上への規則配列Eu添加GaNナノコラムの成長2019

    • 著者名/発表者名
      藤原慎二郎,関口寛人,助川睦,玉井良和,山根啓輔,岡田浩,岸野克巳, 若原昭浩
    • 学会等名
      第66回応用物理学会春季学術講演会
    • 関連する報告書
      2018 実施状況報告書
  • [学会発表] RF-MBE growth of regularly arranged Europium doped GaN nanocolumns on AlN/Si template for single photon emitter2018

    • 著者名/発表者名
      A. Sukegawa, H. Sekiguchi, Y. Tamai, S. Fujiwara, K. Yamane, H. Okada, K. Kishino, and A. Wakahara
    • 学会等名
      Interanational Workshop on Nitride Semiconductors 2018
    • 関連する報告書
      2018 実施状況報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Effect of column diameter and height on optical properties of regularly arranged GaN nanocolumn grown by rf-MBE2018

    • 著者名/発表者名
      H. Sekiguchi, Y. Higashi, K. Yamane, H. Okada, A. Wakahara, K. Kishino
    • 学会等名
      34th North American Molecular Beam Epitaxy Conference
    • 関連する報告書
      2018 実施状況報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Fabrication of regularly arranged InGaN:Eu/GaN quantum wells by rf-plasma-assisted molecular beam epitaxy2018

    • 著者名/発表者名
      H. Sekiguchi, K. Yamane, H. Okada, K. Kishino, and A. Wakahara
    • 学会等名
      20th International Conference on Molecular Beam Epitaxy
    • 関連する報告書
      2018 実施状況報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Eu doped GaN nanocolumn light-emitting diodes exhibiting high emission-wavelength stability2018

    • 著者名/発表者名
      H. Sekiguchi, R. Matsuzaki, A. Sukegawa, K. Yamane, H. Okada, K. Kishino, and A. Wakahara
    • 学会等名
      The 45th International Symposium on compound semiconductors
    • 関連する報告書
      2018 実施状況報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Fabrication of regularly arranged Eu-doped GaN nanocolumns on AlN/Si substrate grown by RF-MBE2018

    • 著者名/発表者名
      藤原慎二郎,関口寛人,助川睦,玉井良和,山根啓輔,岡田浩,岸野克巳,若原昭浩
    • 学会等名
      第37回電子材料シンポジウム
    • 関連する報告書
      2018 実施状況報告書
  • [学会発表] MBE成長Eu添加GaN薄膜におけるゼーマン分裂2018

    • 著者名/発表者名
      小野田稜太,関口寛人,若原昭浩,中岡俊裕
    • 学会等名
      第79回応用物理学会秋季学術講演会
    • 関連する報告書
      2018 実施状況報告書

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公開日: 2018-04-23   更新日: 2022-01-27  

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