| 研究課題/領域番号 |
18K04881
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
小区分28030:ナノ材料科学関連
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| 研究機関 | 岡山大学 (2019-2023)
東京大学 (2018) |
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研究代表者 |
小幡 誠司 岡山大学, 異分野融合先端研究コア, 特任准教授 (90616244)
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| 研究期間 (年度) |
2018-04-01 – 2024-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2023年度)
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| 配分額 *注記 |
4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
2020年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2019年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2018年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
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| キーワード | グラフェン / 酸化グラフェン / 六方晶窒化ホウ素 / graphene / graphene oxide / hexagonal boron nitride / edge structure / 立方晶窒化ホウ素 / STM / 局所構造観察 |
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| 研究成果の概要 |
今回の研究では、六方晶窒化ホウ素(h-BN)上でのナノグラフェンの大量合成法の確立とそれを利用した原子レベルでの端構造の解析を目指した。大量合成には酸化グラフェン(GO)を出発物質として選択した。結果として、h-BNが酸化グラフェンのグラフェン化に対して触媒性をもつこと、金属触媒不要で低温で高結晶性グラフェンが得られることを明らかにした。さらに、産業化を目指し、安価な粉末h-BNを用いた手法の開発も行った。今後、他の層状物質にも応用可能な氷を利用した新しい転写法の開発に成功し、大量合成に成功した。しかし、明瞭な端構造を原子レベルでの解析するには至らなかった。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
本研究では、今後シリコンに代わる新たな半導体デバイスとして注目されている、グラフェン/h-BNの大量合成法の確立に成功した。粉末h-BNを利用した、安価な手法の確立も行い、今後の産業化に貢献できると考えている。また、近年盛んに研究が進められている各種層状物質への応用が可能な、クリーンで簡便な転写手法の開発にも成功した。この手法は水だけを利用するものであり、環境負荷の点からも、省エネルギーの点からも期待できる手法である。
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