研究課題/領域番号 |
18K05010
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研究種目 |
基盤研究(C)
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配分区分 | 基金 |
応募区分 | 一般 |
審査区分 |
小区分31020:地球資源工学およびエネルギー学関連
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研究機関 | 筑波大学 |
研究代表者 |
ISLAM MONIRUL 筑波大学, 数理物質系, 助教 (30739719)
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研究分担者 |
櫻井 岳暁 筑波大学, 数理物質系, 准教授 (00344870)
池田 茂 甲南大学, 理工学部, 教授 (40312417)
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研究期間 (年度) |
2018-04-01 – 2021-03-31
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研究課題ステータス |
完了 (2020年度)
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配分額 *注記 |
3,770千円 (直接経費: 2,900千円、間接経費: 870千円)
2020年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2019年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2018年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
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キーワード | Photocatalyst / oxygen evolution / Hydrogen society / Photocarrier dynamics / zirconium doping / Defect study / Bismuth Valadium Oxide / Electronic Structure / Dopant-mechanism / Photocatalytic activity / sputtering / Photo-carrier dynamics / Sputtering / Recombination mechanism / Photo-activities / Optical Properties / Structural Properties / Crystal properties / Electrical properties / BiVO4 / Doping / Thin film / Characterization |
研究成果の概要 |
将来のエネルギー源として期待される水素の生成を目指し、BiVO4 酸素 (O2) 発生光触媒の研究を行ってきました。 特に、光学特性、結晶構造、および光触媒性能に対する、BiVO4 材料へのジルコニウム (Zr) のドーピングの影響を研究しました。 n型伝導性を高めるBiVO4のBiサイトにZrが置換されていることを確認しています。 BiVO4 中の Zr の最適化されたドーピングは、Mo ドープ サンプルと比較してより多くの O2 を生成することにより、より良いパフォーマンスをもたらします。 さらに、スパッタリング法を使用して、Zr ドープ BiVO4 薄膜を作製することに成功しました。
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研究成果の学術的意義や社会的意義 |
Understanding of doping mechanism of Zr in BiVO4 has academic interest for the enhancement of photo-catalytic performance. Development of BiVO4 photocatalyst will pave way to reduce dependence of carbon-di-oxide-emitting fossil fuels, and open path for the establishment of hydrogen society.
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