| 研究課題/領域番号 |
18K14141
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| 研究種目 |
若手研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 審査区分 |
小区分30010:結晶工学関連
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| 研究機関 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
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研究代表者 |
SANG Liwen 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点, 独立研究者 (90598038)
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| 研究期間 (年度) |
2018-04-01 – 2020-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2019年度)
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| 配分額 *注記 |
4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2019年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2018年度: 2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円)
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| キーワード | 窒化物半導体 / 電界効果トランジスタ / 窒化物 / MOSFET / 集積回路 |
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| 研究成果の概要 |
1) 二次元正孔ガスを持つInGaN/GaNヘテロ構造の開発が成功した。ヘテロ界面の急峻性、組成制御、歪みの影響なとの事項について検討した。2)InGaN/GaN pチャネルMOSFETsの開発が成功し、低温８Kまでの動作を実証した。二段階の表面処理法及びCaF2やSiNx 絶縁ゲート膜を利用したMIS界面はMOS界面より、界面準位密度と捕獲電荷は約１桁を減少した。3)MOCVDより、AlGaN/GaN-on-Siウェハの上にInGaN/GaNヘテロ構造の応力制御、格子緩和度および不純物混入に与える影響を調べした。さらに、InGaN系とAlGaN系のCMOS集積回路の設計と開発した。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
In recent years, with the power increasing of GaN electronic devices, the current Si-based integrated circuits can not meet high-power operations. Our proposed GaN-based CMOS to drive GaN electronic devices is promising and can be energy-saving, environment freely, and compact in size.
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