| 研究課題/領域番号 |
18K18308
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| 研究種目 |
若手研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 審査区分 |
小区分80040:量子ビーム科学関連
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| 研究機関 | 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 |
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研究代表者 |
保坂 勇志 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構, 次世代放射光施設整備開発センター, 主任研究員(任常) (90645558)
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| 研究期間 (年度) |
2018-04-01 – 2021-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2020年度)
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| 配分額 *注記 |
4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2020年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2019年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2018年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
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| キーワード | EUVリソグラフィ / レジスト / 電子線 / EUV / 放射線化学 / リソグラフィ / 電子散乱シミュレーション / シミュレーション / 電子線リソグラフィ |
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| 研究成果の概要 |
EUVレジスト性能を電子線(EB)によって評価する手法について研究を行った。
EUV照射時の特徴的な初期電子分布を再現するため、100 eV程度の超低エネルギーEB照射装置の開発を行った。超低エネルギーEBを照射したサンプル表面ではナノメートルオーダーの形状変化が確認された。また、レジストへの短パルスEUV照射試験を行った。ピコ秒EUV照射ではレジストの高感度化が確認され、X線光電子分光により照射後の化学構造の違いも観測されている。他にEB描画時の後方散乱の影響について電子散乱シミュレーションによる検討を行った。線幅100 nm以上ではEB描画の結果からEUV描画感度予測が可能となった。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
EUVレジスト開発においては研究用のEUV描画装置が数少ないため、研究者にとって基礎研究はもとより開発したレジストの性能評価すら難しいことが大きな問題であった。本研究は装置が普及したEBを用いてEUVレジスト性能を評価する手法の確立を目的としており、EB試験結果からEUVレジストの性能評価が可能となれば、量子ビーム最大の産業応用であるEUVLをより推進することができる。
本研究では、EUVの初期電子分布を再現するEB照射装置の構築が完了し、線幅100 nm以上でのEUVレジストの感度予測法を確立した。本研究の手法を用いることでEUVレジスト研究の加速が期待できる。
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