| 研究課題/領域番号 |
19106005
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| 研究種目 |
基盤研究(S)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
鳥海 明 東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授 (50323530)
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| 研究分担者 |
喜多 浩之 東京大学, 大学院・工学系研究科, 准教授 (00343145)
西村 知紀 東京大学, 大学院・工学系研究科, 技術専門職員 (10396781)
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| 連携研究者 |
喜多 浩之 東京大学, 大学院・工学系研究科, 准教授 (00343145)
西村 知紀 東京大学, 大学院・工学系研究科, 技術専門職員 (10396781)
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
102,830千円 (直接経費: 79,100千円、間接経費: 23,730千円)
2011年度: 5,850千円 (直接経費: 4,500千円、間接経費: 1,350千円)
2010年度: 5,460千円 (直接経費: 4,200千円、間接経費: 1,260千円)
2009年度: 4,940千円 (直接経費: 3,800千円、間接経費: 1,140千円)
2008年度: 36,660千円 (直接経費: 28,200千円、間接経費: 8,460千円)
2007年度: 49,920千円 (直接経費: 38,400千円、間接経費: 11,520千円)
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| キーワード | 電気・電子材料 / 誘電体物性 / 超薄膜 / 表面・界面物性 / 界面ダイポール / XPS / 構造相転移 / Higher-k膜 / GeO2 / Fermi-level Pinning / ESR / 高圧酸化 / ショットキーバリア高さ / High-k膜 / Ge / Si-doped HfO2 / HfLaOx |
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| 研究概要 |
CMOSデバイスにおけるゲート絶縁膜の薄膜化に対して膜厚を実際に薄膜化するのではなく、膜の誘電率を上げることでゲート絶縁膜の機能を電気的に薄膜化するという今回の研究を通して、高誘電率薄膜における絶縁体としてのエネルギー障壁、誘電率の時間的安定性、SiO_2との界面で生ずる電気的ダイポール層の決定的確認、希土類金属酸化膜の吸湿性に対する一般的理解、あるいは新しい半導体材料(Ge)に対する絶縁膜(GeO_2)の欠陥生成機構に関する実験的証拠を確認できた。
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