| 研究課題/領域番号 |
19206004
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 独立行政法人理化学研究所 |
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研究代表者 |
平山 秀樹 独立行政法人理化学研究所, テラヘルツ量子素子研究チーム, チームリーダー (70270593)
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| 研究分担者 |
寺嶋 亘 独立行政法人理化学研究所, テラヘルツ量子素子研究チーム, 研究員 (30450406)
池田 典明 (堀内 典明) 独立行政法人理化学研究所, テラヘルツ量子素子研究チーム, 研究員 (90267477)
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2008
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| 研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
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| 配分額 *注記 |
49,010千円 (直接経費: 37,700千円、間接経費: 11,310千円)
2008年度: 19,890千円 (直接経費: 15,300千円、間接経費: 4,590千円)
2007年度: 29,120千円 (直接経費: 22,400千円、間接経費: 6,720千円)
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| キーワード | テラヘルツ / 量子カスケードレーザ / 窒化物半導体 / 金属プラズモン導波路 / 分子線エピタキシー / サブバンド間遷移 / 自然放出光 / 電流注入 / MBE結晶成長 / 超格子 |
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| 研究概要 |
窒化物半導体超格子を用いることにより、これまで未開拓周波数領域であった5-12THz帯量子カスケードレーザの開発を行った。原子層レベルで平坦なヘテロ界面を有するGaN/InAlGaN系無歪超格子量子カスケード構造の作製に成功した。また、GaN/AlGaN系量子カスケードレーザ構造を用い、世界で始めて電流注入による窒化物半導体からのテラヘルツ周波数帯のバンド内遷移発光を実現した。
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