絶縁ゲートを持つ縦型InP系ホットエレクトロントランジスタの研究

• 研究課題/領域番号: 19206038
• 研究種目: 基盤研究(A)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 電子デバイス・電子機器
• 研究機関: 東京工業大学
• 研究代表者: 宮本 恭幸 東京工業大学, 大学院・理工学研究科, 准教授 (40209953)
• 研究期間 (年度): 2007 – 2009
• 研究課題ステータス: 完了 (2009年度)
• 配分額: 40,950千円 (直接経費: 31,500千円、間接経費: 9,450千円); 2009年度: 7,800千円 (直接経費: 6,000千円、間接経費: 1,800千円); 2008年度: 9,750千円 (直接経費: 7,500千円、間接経費: 2,250千円); 2007年度: 23,400千円 (直接経費: 18,000千円、間接経費: 5,400千円)
• キーワード: ホットエレクトロン / 電子ランチャー / InP / InGaAs / 電子ビーム露光 / III-V MOS / バリスティック電子 / モンテカルロシミュレーション / 縦型電子デバイス / ヘテロランチャー / 絶縁ゲート

研究概要

本研究は、縦型化合物半導体トランジスタとして今までに無く微細な15nm幅チャネルを用いることで、6MA/cm^2という従来最高値の約3倍の高速化に重要である高電流密度を実現した。さらに電子を加速するヘテロ接合ランチャとも組み合わせることで、チャネル長に寄らない電流駆動能力という電子がチャネル内で無衝突の場合の状況を確認した。高駆動能力化の為のHigh-k絶縁膜と横型への拡張の為の再成長ソースの研究も行った。

研究成果

• [雑誌論文] Estimation of collector current spreading in InGaAs SHBT having 75-nm-thick collector (2010)
  • 著者名/発表者名: Y. Miyamoto, S. Takahashi, T. Kobayashi, H. Suzuzki, K. Furuya
  • 雑誌名: IEICE TRANSACTIONS on Electronics vol.E-93C ページ: 644-647
  • NAID: 10026825631
  • 査読あり
• [雑誌論文] Monte Carlo Analysis of Base Transit Times of InP/GaInAs Heterojunction Bipolar Transistors with Ultra thin Graded Bases (2010)
  • 著者名/発表者名: T. Uesawa, M. Yamada, Y. Miyamoto, K. Furuya
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys vol.49 ページ: 24302-24302
  • NAID: 40016982521
  • 査読あり
• [雑誌論文] Monte Carlo Analysis of Base Transi Times of InP/GaInAs Heterojunction Bipolar Transistors with Ultrathin Graded Bases (2010)
  • 著者名/発表者名: T.Uesawa, M.Yamada, Y.Miyamoto, K.Furuya
  • 雑誌名: Jpn.J.Appl.Phys. vol.49
  • 査読あり
• [雑誌論文] Estimation of collector current spreading in InGaAs SHBT having 75-nm-thick collector (2010)
  • 著者名/発表者名: Y.Miyamoto, S.Takahashi, T.Kobayashi, H.Suzuzki, K.Furuya
  • 雑誌名: IEICE TRANSACTIONS on Electronics vol.E-93C(5月掲載決定)
  • NAID: 10026825631
  • 査読あり
• [雑誌論文] Improvement in Gate Insulation in InP Hot Electron Transistors for High Transconductance, High Voltage Gain (2009)
  • 著者名/発表者名: H. Saito, Y. Miyamoto, K. Furuya
  • 雑誌名: Applied Physics Express 巻2 ページ: 3451-3451
  • NAID: 10025085180
  • 査読あり
• [雑誌論文] Improvement in Gate Insulation in InP Hot Electron Transistors for High Transconductance and High Voltage Gain (2009)
  • 著者名/発表者名: H. Saito, Y. Miyamoto, K. Furuya
  • 雑誌名: Applied Physics Express 2 ページ: 34501-34501
  • NAID: 10025085180
  • 査読あり
• [雑誌論文] Cutoff Frequency Characteristics of Gate-Control Hot Electron Transistors by Monte Carlo Simulation (2008)
  • 著者名/発表者名: M. Igarashi, K. Furuya, Y. Miyamoto
  • 雑誌名: Physica Statu s Solidi(C) 巻5 ページ: 70-73
  • 査読あり
• [雑誌論文] Cutoff Frequency Characteristics of Gate-Control Hot Electron Transistors by Monte Carlo Simulation (2008)
  • 著者名/発表者名: M. Igarashi, K. Furuya, and Y. Miyamoto
  • 雑誌名: Physicsa Status Solidi(C) 5 ページ: 70-73
  • 査読あり
• [雑誌論文] InP/InGaAs hot electron transistors with insulated gate (2007)
  • 著者名/発表者名: A. Suwa, T. Hasegawa, T. Hino, H. Sa ito, M. Oono, Y. Miyamoto, K. Furuya
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys 巻46
  • NAID: 210000064020
  • 査読あり
• [雑誌論文] InP/InGaAs hot electron transistors with insulated gate (2007)
  • 著者名/発表者名: A. Suwa, T. Hasegawa, T. Hino, H. Saito, M. Oono, Y. Miyamoto, and K. Furuya
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl Phys., 46
  • NAID: 210000064020
  • 査読あり
• [学会発表] Submicron InP/InGaAs composite channel MOSFETs with selectively regrown n+-source/drain buried into channel undercut (2010)
  • 著者名/発表者名: T. Kanazawa, K. Wakabayashi, H. Saito, R. Terao, T. Tajima, S. Ikeda, Y. Miyamoto, K. Furuya
  • 学会等名: 22nd Int. Conf. Indium Phosphide and Related Materials (IPRM20 10)
  • 発表場所: 香川県高松市
  • 年月日: 2010-06-02
• [学会発表] Selective undercut etching for ultra narrow mesa structure in vertical InGaA s channel MISFET (2010)
  • 著者名/発表者名: H. Saito, Y. Miyamoto, K. Furuya
  • 学会等名: 22nd Int. Conf. Indium Phosphide and Related Materials (IPRM20 10)
  • 発表場所: 香川県高松市
  • 年月日: 2010-06-02
• [学会発表] III-V族サブミクロンチャネルを有する高移動度MOSFET (2010)
  • 著者名/発表者名: 金澤徹
  • 学会等名: 電気学会電子デバイス研究会
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2010-03-26
• [学会発表] 再成長ソースを有するサブミクロンInP/InGaAs nMOSFETの電流電圧特性 (2010)
  • 著者名/発表者名: 若林和也
  • 学会等名: 第56回応用物理学会関係連合講演会
  • 発表場所: 平塚市
  • 年月日: 2010-03-19
• [学会発表] 再成長ソースを有するサブミクロンInP/InGaAs nMOSFETの電流電圧特性 (2010)
  • 著者名/発表者名: 寺尾良輔
  • 学会等名: 第57回応用物理学会関係連合講演会
  • 発表場所: 平塚市
  • 年月日: 2010-03-19
• [学会発表] Si基板上へ転写したInP系HBTの動作 (2010)
  • 著者名/発表者名: 磯谷優治
  • 学会等名: 第57回応用物理学会関係連合講演会
  • 発表場所: 平塚市
  • 年月日: 2010-03-19
• [学会発表] 縦型InGaAsチャネルMISFETの極微細メサに向けた選択的ウェットエッチング (2010)
  • 著者名/発表者名: 齊藤尚史
  • 学会等名: 第57回応用物理学会関係連合講演会
  • 発表場所: 平塚市
  • 年月日: 2010-03-19
• [学会発表] SiO_2細線埋め込みInP/InGaAs DHBTの作製 (2010)
  • 著者名/発表者名: 小林嵩
  • 学会等名: 第57回応用物理学会関係連合講演会
  • 発表場所: 平塚市
  • 年月日: 2010-03-19
• [学会発表] Selective undercut etching for ultra narrow mesa structure in vertical InGaAs channel MISFET (2010)
  • 著者名/発表者名: H.Saito
  • 学会等名: Global COE International Symposium
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2010-03-10
• [学会発表] テラヘルツ帯におけるトランジスタ (2010)
  • 著者名/発表者名: 宮本恭幸
  • 学会等名: 応用電子物性分科会研究例会
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2010-01-29
• [学会発表] テラヘルツ帯におけるトランジスタ(招待講演) (2010)
  • 著者名/発表者名: 宮本恭幸
  • 学会等名: 応用電子物性分科会研究例会
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2010-01-29
• [学会発表] A12O3ゲート絶縁膜を用いたInP/InGaAsコンポジットチャネルMOSFET (2010)
  • 著者名/発表者名: 金澤徹
  • 学会等名: 電子情報通信学会電子デバイス研究会
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2010-01-14
• [学会発表] HBTにおける高電流密度動作時エミッタ充電時間の電流反比例特性からの逸脱 (2010)
  • 著者名/発表者名: 山田真之
  • 学会等名: 電子情報通信学会電子デバイス研究会
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2010-01-14
• [学会発表] Vertical InGaAs FET with hetero-launcher and undoped channel (2009)
  • 著者名/発表者名: Y.Miyamoto
  • 学会等名: International Symposium on Advanced Nanodevices and Nanotechnology (ISANN)
  • 発表場所: Maui, HI, USA
  • 年月日: 2009-12-02
• [学会発表] InGaAs/InP MISFET (Invited) (2009)
  • 著者名/発表者名: Y. Miyamoto
  • 学会等名: Int. Symposium on Silicon Nano Devices in 2030
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2009-10-14
• [学会発表] InGaAs/InP MISFET (Invited) (2009)
  • 著者名/発表者名: Y.Miyamoto
  • 学会等名: Int.Symposium on Silicon Nano Devices in 2030
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2009-10-14
• [学会発表] Fabrication of InP/InGaAs Undoped Channel MOSFET with Selectivel y Regrown N+-InGaAs Source Region (2009)
  • 著者名/発表者名: T. Kanazawa
  • 学会等名: 2009 Int. Conf. Solid State Devices and Materi als (SSDM 2009)
  • 発表場所: 宮城県仙台市
  • 年月日: 2009-10-07
• [学会発表] Fabrication of InP/InGaAs Undoped Channel MOSFET with Selectively Regrown N+-InGaAs Source Region (2009)
  • 著者名/発表者名: T.Kanazawa
  • 学会等名: 2009 Int.Conf. Solid State Devices and Materials (SSDM 2009)
  • 発表場所: Miyagi, Japan
  • 年月日: 2009-10-07
• [学会発表] Lateral Buried Growth of N+-InGaAs Source/Drain Region to Undercut InGaAs Channel Structure for High Drive Current N-type MOSFET (2009)
  • 著者名/発表者名: T. Kanazawa, H. Saito, K. Wakabayashi, Y. Miyamoto, K. Furuya
  • 学会等名: 2008 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2008)
  • 発表場所: つくば市
  • 年月日: 2009-09-24
• [学会発表] SiO_2細線埋込InP系HBTにおけるCBr_4を使つたin-situエッチング (2009)
  • 著者名/発表者名: 武部直明
  • 学会等名: 第70回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 富山市
  • 年月日: 2009-09-10
• [学会発表] 縦型InGaAs-MISFETの試作 (2009)
  • 著者名/発表者名: 楠崎智樹
  • 学会等名: 第70回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 富山市
  • 年月日: 2009-09-08
• [学会発表] ヘテロランチャと真性チャネルを有する縦型InGaAs-MISFETの高駆動能力動作 (2009)
  • 著者名/発表者名: 齊藤尚史
  • 学会等名: 第70回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 富山市
  • 年月日: 2009-09-08
• [学会発表] 再成長ソースを有するアンドープチャネルInP/InGaAs MOSFETの電流特性 (2009)
  • 著者名/発表者名: 若林和也
  • 学会等名: 第70回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 富山市
  • 年月日: 2009-09-08
• [学会発表] HBTにおける超高速動作時エミッタ充電時間の理論的解析 (2009)
  • 著者名/発表者名: 山田真之
  • 学会等名: 第70回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 富山市
  • 年月日: 2009-09-08
• [学会発表] MOVPE再成長n^+-ソースを有するIII-V族高移動度チャネルMOSFET (2009)
  • 著者名/発表者名: 金澤徹
  • 学会等名: 電気学会C部門大会
  • 発表場所: 徳島市
  • 年月日: 2009-09-04
• [学会発表] In-situ Etching in MOCPE for Thin Collector of InP HBT with Buried SiO_2 Wire (2009)
  • 著者名/発表者名: Y.Miyamoto
  • 学会等名: Topical Workshop on Heterostructure Materials (TWHM 2009)
  • 発表場所: Nagano, Japan
  • 年月日: 2009-08-26
• [学会発表] Monte Carlo Analysis of Base Transit Times of InP/Gaines Heterojunction Bipolar Transistors with Ultrathin Bases (2009)
  • 著者名/発表者名: T.Uesawa
  • 学会等名: Topical Workshop on Heterostructure Materials (TWHM 2009)
  • 発表場所: Nagano, Japan
  • 年月日: 2009-08-26
• [学会発表] InGaAs/InP MISFET with ep itaxially grown source (Invited) (2009)
  • 著者名/発表者名: Y. Miyamoto
  • 学会等名: 2009 A sia-Pacific Workshop on Fundamentals an d Applications of Advanced Semiconducto r Devices (AWAD)
  • 発表場所: Busan, Korea
  • 年月日: 2009-06-25
• [学会発表] InGaAs/InP MISFET with epitaxially grown source (Invited) (2009)
  • 著者名/発表者名: Y.Miyamoto
  • 学会等名: 2009 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD)
  • 発表場所: Busan, Korea,
  • 年月日: 2009-06-25
• [学会発表] Evaluation of collector current spreading of InGaAs SHBT with 75-nm-thick collector (2009)
  • 著者名/発表者名: Y.Miyamoto
  • 学会等名: 2009 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD),
  • 発表場所: Busan, Korea,
  • 年月日: 2009-06-25
• [学会発表] SiO2細線埋込InP系HBTにおけるCBr4を使つたIn-situエッチング (2009)
  • 著者名/発表者名: 武部直明
  • 学会等名: 電子情報通信学会電子デバイス研究会
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2009-06-12
• [学会発表] InP/InGaAs-channel MOSFET with MOVPE Selective Regrown Source (2009)
  • 著者名/発表者名: T. Kanazawa
  • 学会等名: 21 st Int. Conf. Indium Phosphide and Rela ted Materials (IPRM2009)
  • 発表場所: Newport Beach, USA
  • 年月日: 2009-05-13
• [学会発表] Vertical InGaAs MOSFET with Hetero-Launcher and Undoped Channe (2009)
  • 著者名/発表者名: H. Saito
  • 学会等名: 21st Int. Conf. Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2009)
  • 発表場所: Newport Beach, USA
  • 年月日: 2009-05-13
• [学会発表] Vertical InGaAs MOSFET with Hetero-Launcher and Undoped Channel (2009)
  • 著者名/発表者名: H.Saito
  • 学会等名: The 21st Int. Conf.Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2009)
  • 発表場所: Newport Beach, USA
  • 年月日: 2009-05-13
• [学会発表] InP/InGaAs-channel MOSFET with MOVPE Selective Regrown Source (2009)
  • 著者名/発表者名: T.Kanazawa
  • 学会等名: The 21st Int. Conf.Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2009)
  • 発表場所: Newport Beach, USA
  • 年月日: 2009-05-13
• [学会発表] ヘテロランチャと真性チャネルを有する縦型InGaAs-MOSFET (2009)
  • 著者名/発表者名: 齋藤 尚史, 楠崎智樹, 松本 豊, 宮本 恭幸, 古屋 一仁
  • 学会等名: 第56回応用物理学会関係連合講演会
  • 発表場所: つくば市
  • 年月日: 2009-03-31
• [学会発表] III-Vナノデバイス (2009)
  • 著者名/発表者名: 宮本恭幸, 金澤 徹
  • 学会等名: 電子情報通信学会2009年全国大会
  • 発表場所: 松山市
  • 年月日: 2009-03-18
• [学会発表] ヘテロランチャと真性チャネルを有する縦型InGaAs-MOSFETの作製 (2009)
  • 著者名/発表者名: 齋藤 尚史, 金澤 徹, 宮本 恭幸, 古屋 一仁
  • 学会等名: 電気学会電子デバイス研究会
  • 発表場所: 静岡県熱海市
  • 年月日: 2009-03-09
• [学会発表] InGaAs MISFET with hetero-laucher (Invited) (2009)
  • 著者名/発表者名: Y. Miyamoto
  • 学会等名: 2009 RCIQE International Seminar on "Advanced Semiconductor Materials and Devices"
  • 発表場所: 北海道札幌市
  • 年月日: 2009-03-03
• [学会発表] InGaAs MISFET with hetero-laucher (Invited) (2009)
  • 著者名/発表者名: Y. Miyamoto
  • 学会等名: 2009 RCIQE International Seminar on "Advaneed Semiconductor Materials and Devices"
  • 発表場所: 札幌市
  • 年月日: 2009-03-03
• [学会発表] Fabrication of vertical InGaAs channel MISFET with heterostructure launcher and undoped channel (2009)
  • 著者名/発表者名: H.Saito
  • 学会等名: Int.Symposium on Silicon Nano Devices in 2030
  • 発表場所: Tokyo, Japan
• [学会発表] InP/In_<0.53>Ga_<0.47>As composite channel n-MOSFET with heavily dopedregrown source/drain struture (2009)
  • 著者名/発表者名: K.Wakabayashi
  • 学会等名: Int.Symposium on Silicon Nano Devices in 2030
  • 発表場所: Tokyo, Japan
• [学会発表] RF Characteristics of Schottky-Gate-Controlled Hot Electron Transistor (2008)
  • 著者名/発表者名: Y. Miyamoto, T. Hasegawa, H. Saito, K. Furuya
  • 学会等名: IEEE Nanotechnology Materials and Devices Conference 2008
  • 発表場所: 京都市
  • 年月日: 2008-10-22
• [学会発表] Lateral Buried Growth of N+-InGaAs Source/Drain Region to Undercut InGaAs Channel Structure for High Drive Current N-type MOSFET (2008)
  • 著者名/発表者名: T. Kanazawa, H. Saito, K. Wakabayashi, Y. Miyamoto, K. Furuya
  • 学会等名: 2008 Int. Conf. Solid State Devices and Materials (SSDM2008)
  • 発表場所: 茨城県つくば市
  • 年月日: 2008-09-24
• [学会発表] 絶縁ゲート制御型ホットエレクトロントランジスタのゲート制御能力向上 (2008)
  • 著者名/発表者名: 齋藤 尚史, 孟 伶我, 宮本 恭幸, 古屋 一仁
  • 学会等名: 第69回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 愛知県春日井市
  • 年月日: 2008-09-04
• [学会発表] Hot electron transistor controlled by insulated gate with 70nm-wide emitter (2008)
  • 著者名/発表者名: H. Saito, T. Hino, Y. Miyamoto, K. Furuya
  • 学会等名: 20th Int. Conf. Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2008)
  • 発表場所: Versailles, France
  • 年月日: 2008-05-26
• [学会発表] Hot electron transistor controlled by insulated gate with 70nm-wide emitter (2008)
  • 著者名/発表者名: H. Saito, T. Hino, Y. Miyamoto, K. Furuya
  • 学会等名: IEEE 20th Conference on Indium Phosphide and Related Materials
  • 発表場所: Versailles - France
  • 年月日: 2008-05-26
• [学会発表] 絶縁ゲート制御型ホットエレクトロントランジスタの電圧利得向上 (2008)
  • 著者名/発表者名: 齋藤尚史、孟伶我、宮本恭幸、古屋一仁
  • 学会等名: 第55回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 千葉県船橋市
  • 年月日: 2008-03-29
• [学会発表] ゲート制御ホットエレクトロントランジスタのバリスティックモデル解析 (2008)
  • 著者名/発表者名: 上澤岳史、山田朋宏、古屋一仁、宮本恭幸
  • 学会等名: 第55回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 千葉県船橋市
  • 年月日: 2008-03-29
• [学会発表] モンテカルロ計算によるゲート制御ホットエレクトロントランジスタの遮断周波数解析 (2008)
  • 著者名/発表者名: 宮本恭幸、五十嵐満彦、山田朋宏、上澤岳史、古屋一仁
  • 学会等名: 電気学会電子デバイス研究会
  • 発表場所: 群馬県みなかみ町
  • 年月日: 2008-03-06
• [学会発表] InP系バリスティックトランジスタ (2008)
  • 著者名/発表者名: 宮本恭幸、古屋一仁
  • 学会等名: 電子情報通信学会電子デバイス研究会
  • 発表場所: 北海道札幌市
  • 年月日: 2008-01-30
• [学会発表] InP系バリスティックトランジスタ(招待講演) (2008)
  • 著者名/発表者名: 宮本恭幸、古屋一仁
  • 学会等名: 電子情報通信学会 電子デバイス研究会
  • 発表場所: 北海道札幌市
  • 年月日: 2008-01-30
• [学会発表] ホットエレクトロントランジスタにおけるゲート絶縁性の確認 (2007)
  • 著者名/発表者名: 日野高宏, 齋藤尚史, 宮本恭幸,古屋一仁
  • 学会等名: 第68回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 北海道札幌市
  • 年月日: 2007-09-04
• [学会発表] 先端ノンドープ構造ホットエレクトロンエミッタ充電時間解析 (2007)
  • 著者名/発表者名: 山田朋宏, 古屋一仁, 宮本恭幸
  • 学会等名: 第68回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 北海道札幌市
  • 年月日: 2007-09-04
• [学会発表] Cutoff Frequency Characteristics of Insulated-gate Hot-electron Transistors by Monte Carlo Simulation (2007)
  • 著者名/発表者名: M. Igarashi, N. Machida, Y. Miyamoto, and K. Furuya
  • 学会等名: 15th International Conference on Nonequilibrium Carrier Dynamics in Semiconductors
  • 発表場所: 東京都文京区
  • 年月日: 2007-07-23
• [学会発表] Fabrication of hot electron transistors controlled by insulated gate (2007)
  • 著者名/発表者名: T. Hino, A. Suwa, T. Hasegawa, H. Saito, M. Oono, Y. Miyamoto, K. Furuya
  • 学会等名: 19th Int. Conf. Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2007)
  • 発表場所: 島根県松江市
  • 年月日: 2007-05-15
• [学会発表] Fabrication of hot electron transistors controlled by insulated gate (2007)
  • 著者名/発表者名: T. Hino, A. Suwa, T. Hasegawa, H. Saito, M. Oono, Y. Miyamoto, K. Furuya
  • 学会等名: 19th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM'07)
  • 発表場所: 島根県松江市
  • 年月日: 2007-05-15
• [図書] 電子デバイス (2009)
  • 著者名/発表者名: 宮本恭幸
  • 総ページ数: 153
  • 出版者: 培風館
• [備考] ホームページ等
  • URL: http://www.pe.titech.ac.jp/Furuya-MiyamotoLab/index.htm
• [備考]
  • URL: http://www.pe.titech.ac.jp/Furuya-MiyamotoLab/index.htm
• [備考]
  • URL: http://www.pe.titech.ac.jp/Furuya-MiyamotoLab/index.htm
• [備考]
  • URL: http://www.pe.titech.ac.jp/Furuya-MiyamotoLab/index.htm
• [産業財産権] 半導体装置の製造方法
  • 発明者名: 井田実、山幡章司、齋藤尚史、宮本恭幸
  • 権利者名: 日本電信電話、東京工業大学
  • 産業財産権番号: 2010-100797
• [産業財産権] ホットエレクトロントランジスタ、及びその製造方法
  • 発明者名: 宮本恭幸、前田寛、竹内克彦
  • 権利者名: 東京工業大学