| 研究課題/領域番号 |
19340080
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
物性Ⅰ
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| 研究機関 | 山梨大学 |
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研究代表者 |
鳥養 映子 山梨大学, 大学院・医学工学総合研究部, 教授 (20188832)
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| 研究分担者 |
白木 一郎 山梨大学, 大学院・医学工学総合研究部, 助教 (10399389)
永嶺 謙忠 (独)理化学研究所, 山崎原子物理研究室, 名誉研究員 (50010947)
下村 浩一郎 大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構, 物質構造科学研究所, 講師 (60242103)
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2009
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| 研究課題ステータス |
完了 (2009年度)
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| 配分額 *注記 |
19,370千円 (直接経費: 14,900千円、間接経費: 4,470千円)
2009年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2008年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2007年度: 17,810千円 (直接経費: 13,700千円、間接経費: 4,110千円)
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| キーワード | 半導体 / ミュオン / スピントロニクス / 伝導電子スピン偏極 / スピンエレクトロニクス / ミュエスアール / パルスレーザー / ミュオニウム |
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| 研究概要 |
シリコン等の半導体をスピントロニクス材料に活用するための普遍的な伝導電子スピン偏極度(CEP)測定方法として,ミュオニウムスピン交換反応法の確立を目指し,GaAsの円偏光キャリア励起により,ミュオンがCEPに高い感度を持つことを,初めて証明した.さらにSiへの歪GaAs蒸着膜を介した光励起電子注入により,Si中での3μs以上の長いキャリア寿命と,キャリア拡散の様子の観測に成功し,この方法の普遍性を示した.
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