| 研究課題/領域番号 |
19340094
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
物性Ⅱ
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
リップマー ミック (LIPPMAA Mikk) 東京大学, 物性研究所, 准教授 (10334343)
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| 研究分担者 |
大西 剛 東京大学, 物性研究所, 助教 (80345230)
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| 連携研究者 |
大西 剛 物質・材料研究機構, 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点, MANA 研究者 (80345230)
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2008
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| 研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
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| 配分額 *注記 |
18,850千円 (直接経費: 14,500千円、間接経費: 4,350千円)
2008年度: 8,320千円 (直接経費: 6,400千円、間接経費: 1,920千円)
2007年度: 10,530千円 (直接経費: 8,100千円、間接経費: 2,430千円)
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| キーワード | 電子デバイス・機器 / ナノ材料 / 表面・界面物性 / 物性実験 / マイクロ・デバイス / MBE,エピタキシャル |
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| 研究概要 |
We have developed a process for fabricating micron-scale fully epitaxial top-gate oxide field-effect transistors that use an oxide channel, oxide source and drain electrodes and a wide-gap oxide gate insulator. We have studied charge accumulation at CaHfO_3/SrTiO_3, DyScO_3/SrTiO_3, and SrTiO_3/LaTiO_3 interfaces. As a way to confine carriers in a narrower layer at an interface, we are developing Ruddlesden-Popper-type two-dimensionalquantum wells
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