| 研究課題/領域番号 |
19360164
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 広島大学 |
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研究代表者 |
中島 安理 広島大学, ナノデバイス・バイオ融合科学研究所, 准教授 (70304459)
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| 研究分担者 |
横山 新 広島大学, ナノデバイス・バイオ融合科学研究所, 准教授 (80144880)
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2008
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| 研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
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| 配分額 *注記 |
18,720千円 (直接経費: 14,400千円、間接経費: 4,320千円)
2008年度: 4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2007年度: 14,560千円 (直接経費: 11,200千円、間接経費: 3,360千円)
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| キーワード | Ge基板 / MOSトランジスタ / 原子層成長 / ゲート絶縁膜 / 信頼性 |
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| 研究概要 |
tetrakis diethylmethylamino hafnium(TDEAH)とH_2Oの交互照射を用いたGe基板上へのHfO_2の原子層成長(ALD)法の確立を行った。ラザフォード後方散乱による組成分析、原子問力顕微鏡による膜平坦性の評価を行い、化学量論的な組成を持つ平坦なHfO_2膜が得られる条件を見出した。MISキャパシタの容量-電圧特性とゲートリーク特性を測定し、電気的にも良好なゲート絶縁膜が得られている事を確認した。これにより、ALD法により堆積したゲート絶縁膜を有するGe高信頼性トランジスタの実現の見通しができた。
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