| 研究課題/領域番号 |
19540327
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
物性Ⅰ
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
江島 丈雄 東北大学, 多元物質科学研究所, 准教授 (80261478)
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| 研究分担者 |
柳原 美廣 (柳原 美広) 東北大学, 多元物質科学研究所, 准教授 (40174552)
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2008
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| 研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
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| 配分額 *注記 |
4,940千円 (直接経費: 3,800千円、間接経費: 1,140千円)
2008年度: 520千円 (直接経費: 400千円、間接経費: 120千円)
2007年度: 4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
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| キーワード | 埋もれた界面 / 価電子帯 / 定在波 / 位相制御 / 多層膜 / Fe / Si界面 / 発光分光 / Si / Fe L_<2, 3> / 位相計測 / 光電子分光 / 磁性多層膜 |
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| 研究概要 |
Fe/Si多層膜の界面層の電子状態を知るために、位相制御をした定在波法と発光分光法を組み合わせて、Fe/Si界面の深さ方向の電子状態の変化を調べた。得られたFe L_(2, 3)発光スペクトルのスペクトル形状は、ほぼFe金属のスペクトル形状に類似して、Fe 3d→Fe 2p_(3/2)遷移による強度の強いL_3発光と、禁制遷移である強度の弱いFe 3d→Fe 2p_(1/2)遷移によるL_2発光を示した。Fe L_3発光スペクトルのピーク位置は、表面側Fe層から基板側Fe層に向って高エネルギー側にシフトした。これは発光点が表面側から基板側に移動するに従って、フェルミ準位近傍のFe 3d電子の状態密度が多い状態から少ない状態に変化していると考えられる。以上により、定在波法を用いた埋もれた界面の価電子帯の評価法が確立された。
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