| 配分額 *注記 |
4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2008年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2007年度: 3,120千円 (直接経費: 2,400千円、間接経費: 720千円)
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| 研究概要 |
ホモジニアス, ホメオトロピック, ハイブリッド, ツイステッドネマティック(TN)の計4種類を作製し403nmの半導体レーザ(約10mW)を集光し, 液晶分子配向状態の異なる液晶素子にそれぞれ照射し, 配向状態の変化から, 数十分以内での耐光性評価を可能とした。光劣化とともに, 透過レーザ光のファーフィールドパターンが変化することを利用し, 配向変化の開始時間, 劣化の進行状態を評価することができた。
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