| 研究課題/領域番号 |
19H02594
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
小区分29020:薄膜および表面界面物性関連
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| 研究機関 | お茶の水女子大学 (2021-2022)
東京大学 (2019-2020) |
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研究代表者 |
近松 彰 お茶の水女子大学, 基幹研究院, 准教授 (40528048)
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| 研究分担者 |
和達 大樹 兵庫県立大学, 理学研究科, 教授 (00579972)
酒井 志朗 国立研究開発法人理化学研究所, 創発物性科学研究センター, 上級研究員 (80506733)
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| 研究期間 (年度) |
2019-04-01 – 2023-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2022年度)
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| 配分額 *注記 |
17,680千円 (直接経費: 13,600千円、間接経費: 4,080千円)
2022年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
2021年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
2020年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
2019年度: 11,830千円 (直接経費: 9,100千円、間接経費: 2,730千円)
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| キーワード | 複合アニオン / 薄膜新材料 / 電子状態 / 光機能 |
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| 研究開始時の研究の概要 |
本研究では、高品質薄膜合成技術と低温トポタクティック合成法を組み合わせたアニオンドープ酸化物エピタキシー法を用いて、薄膜形状の特性を活かした遷移金属複合アニオン酸化物・ヘテロ構造の新しい光機能を創出するとともに、光機能の発現機構を電子状態の観点から解明する。本研究は、強相関エレクトロニクスやスピントロニクス、省エネルギー材料等の先端材料分野に大きく貢献する。
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| 研究成果の概要 |
本研究では、高品質薄膜合成技術と低温トポタクティック合成法を組み合わせたアニオンドープ酸化物エピタキシー法により、新しい遷移金属複合アニオン酸化物薄膜の作製、遷移金属複合アニオン酸化物薄膜の光機能の創出、遷移金属複合アニオン酸化物の電子状態の解明を行った。新しいクロム酸フッ化物、イリジウム酸フッ化物、ルテニウム酸フッ化物、ニオブ酸窒化物および強酸化したコバルト酸化物のナノ薄膜の作製に成功した。また、光機能を含むこれらの電子物性と電子状態を実験的に明らかにすることができた。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
遷移金属酸化物の多くは強相関電子系と呼ばれる物質群であり、強いクーロン斥力相互作用から生じる電子相関の効果により特異な物性を示す。強相関遷移金属酸化物の中において、光照射により電気伝導性や磁性が変化する現象が観測されている。光で物性を操作する光科学の研究は、電子・スピン物性の理解、非平衡物質相の探索、および光による物性の超高速スイッチング等の応用に寄与している。したがって、本研究の成果は、遷移金属複合アニオン酸化物の電子物性と電子状態に関する新知見を与え、エレクトロニクスやスピントロニクス、創・省・蓄エネルギー材料等の先端材料分野に貢献する。
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