| 研究課題/領域番号 |
19K05330
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
小区分31010:原子力工学関連
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
岡本 一将 大阪大学, 産業科学研究所, 助教 (10437353)
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| 研究期間 (年度) |
2019-04-01 – 2022-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2021年度)
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| 配分額 *注記 |
4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
2021年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2020年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2019年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
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| キーワード | レジスト / 放射線化学 / リソグラフィ / 電子線 / 極端紫外線(EUV) / 化学増幅型レジスト / 半導体微細化 / 酸生成促進剤 / ジフェニルスルホン / 極端紫外線（EUV） / 脱プロトン反応 / レジスト材料 / EUVリソグラフィ / 極端紫外線 / パルスラジオリシス / 極端紫外線（ＥＵＶ） / 極端紫外線（EUV）・Ｘ線 |
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| 研究開始時の研究の概要 |
半導体微細加工材料であるレジストの高感度化（増感）、高解像度化や解像誤差（ラフネス）の低減を同時に達成することが最も重要な課題であるが、その解決策はいまだ明らかにされていない。本研究では、電離放射線によりイオン化したレジストの脱プロトン反応を促進する酸生成促進剤 (Acid-generating promoter)のメカニズムを明らかにし、新たな電離放射線露光用レジストの解像性能向上を実現する手法の開拓を行う。
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| 研究成果の概要 |
半導体製造で用いられるリソグラフィ技術に電離放射線が用いられるようになり、使用されるレジスト材料の高性能化が求められている。加工材料である化学増幅型レジストに添加するだけで極端紫外線(EUV)や電子線に対する感度を大幅に向上することのできる酸生成促進剤の添加効果および脱プロトン反応性を増加させる等の感度向上のメカニズム、さらに化学増幅型レジスト中に含まれる構成分子に関して研究を実施し、酸生成促進剤の添加の有効性ならびに放射線誘起反応について明らかにした。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
現在半導体製造で使われているレジスト材料の性能の向上のために、現行のレジストに添加するだけで脱プロトン反応性等の向上効果のある酸生成促進剤の有効性を示すとともに、その機能の解明を行った。酸生成促進剤の化学構造が、電子または正電荷を受容した後も室温下でも安定に存在でき、酸生成の促進に寄与できることが明らかになった。また、本成果により今後の半導体製造の生産性の向上に繋がることが期待される。
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