| 研究課題/領域番号 |
19K21084
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| 補助金の研究課題番号 |
18H05913 (2018)
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| 研究種目 |
研究活動スタート支援
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| 配分区分 | 基金 (2019)
補助金 (2018) |
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| 審査区分 |
0302:電気電子工学およびその関連分野
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| 研究機関 | 東京工業大学 (2019)
国立研究開発法人情報通信研究機構 |
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研究代表者 |
後藤 高寛 東京工業大学, 工学院, 助教 (70827914)
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| 研究期間 (年度) |
2018-08-24 – 2020-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2019年度)
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| 配分額 *注記 |
2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円)
2019年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2018年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
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| キーワード | TFET / MOS界面準位 / GaAsSb / InGaAs |
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| 研究開始時の研究の概要 |
従来型MOSFETと比較して理論的に極低電圧動作が期待できるトンネルトランジスタはロジックLSI応用のみならず、アナログデバイスとしても期待されている。トンネルトランジスタの構成材料としてはGaAsSb/InGaAsヘテロ構造が有望である。本研究では、GaAsSb/InGaAs TFETの試作と2次元TCADシステムを用いた理論計算を組み合わせることで、トンネルトランジスタの将来の通信デバイス適用のための基礎検討を行う。
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| 研究成果の概要 |
極低消費電力かつ高速動作が可能なデバイスとしてトンネルFETが期待されるが、その中でも材料的な観点からソース領域にGaAsSbをチャネル領域にInGaAsを採用したType-IIヘテロ接合TFETが有力である。加えて、デバイスの構造の観点からはソース・チャネル接合の微細化を横方向で可能とするナノシートチャネル構造の採用が必須である。今回、前段階としてソース・ドレイン領域を同じInGaAs再成長層で形成したナノシートチャネルMOSFETの作製した。加えて、同一基板上に作製したMOSFETからの移動度評価を行った。これらの技術を応用することでナノシートトンネルFETの性能改善が期待される。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
本研究のトランジスタはアナログ・ロジック回路の最も重要な構成要素の1つであり、極低消費電力化と高速化を両立させようという取り組みである。また、今回の横型デバイスはこれまでのSiプラットフォームへの適用も可能であり汎用性が高い。製品応用を視野に入れると低消費電力素子が必要な分野は多く存在する。センサネットワークや発電可能な集積回路など、章補電力を極限的に下げることへの要請は数多く存在する。そのため、トンネルFETの実用化により、これまでの半導体集積回路技術では実現出来なかった新たな応用分野が広がっていくと考えられる。
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