| 研究課題/領域番号 |
20246033
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
生産工学・加工学
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| 研究機関 | 九州大学 |
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研究代表者 |
土肥 俊郎 九州大学, 大学院・工学研究院, 教授 (30207675)
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| 研究分担者 |
黒河 周平 九州大学, 大学院・工学研究院, 准教授 (90243899)
梅崎 洋二 九州大学, 大学院・工学研究院, 助教 (70038066)
鬼鞍 宏猷 九州大学, 大学院・工学研究院, 教授 (90108655)
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2010
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
28,730千円 (直接経費: 22,100千円、間接経費: 6,630千円)
2010年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2009年度: 12,870千円 (直接経費: 9,900千円、間接経費: 2,970千円)
2008年度: 14,430千円 (直接経費: 11,100千円、間接経費: 3,330千円)
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| キーワード | CMP / 密閉型加工 / 密閉雰囲気 / 光触媒反応 / Si / SiC / 加工レート / ベルジャー密閉型 / 高圧ガス雰囲気と減圧雰囲気 / 光触媒反応の援用 / 両面同時加工 / 多枚数同時加工 / 難加工材料 / 雰囲気制御加工 / 電解CMP / 高圧酸素雰囲気 |
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| 研究概要 |
これまでのCMP(Chemical Mechanical Polishing)特性・メカニズムを踏まえて,ユニークな密閉式の両面同時ベルジャー(チャンバー)型CMP装置を設計・試作した.その結果,高圧酸素雰囲気の密閉ベルジャー内で,紫外線を照射しつつ光触媒反応を援用した高効率CMP法と両面同時加工法の革新的融合装置を実現した.とくに難加工材料のSiC基板については,従来加工法の4.5倍の加工能率が得られ脚光を浴びている.
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