研究課題
基盤研究(A)
ひずみSi MOSFETの表面ラスネス散乱移動度とMOS界面凹凸を評価し、ひずみの印加により電子移動度は向上するものの正孔移動度はやや減少すること、MOS界面の凹凸は、ひずみの印加で低減することが明らかとなった。また、高精度の透過電子顕微鏡像によって、実際のSi/SiO2界面凹凸形状とその自己相関関数を直接決定する方法を新たに提案し、この方法で得られた凹凸に基づいて計算した移動度は実験から得られた値と、電子と正孔ともに、良い一致が見られることが分かった。また、ひずみSi MOS界面は、FNストレスによる界面準位発生が少なく、これはひずみによる界面ラフネスの低減に起因している可能性が高いことが明らかとなった。更に、ひずみSi pMOSFETの界面電荷によるクーロン散乱正孔移動度は、二軸引張りひずみの印加で移動度が増大する一方、基板不純物散乱によるクーロン散乱移動度では、移動度が低下するという、電子移動度とは反対のひずみ依存性をもつことを見出し、これらのひずみ依存性は、ひずみによる電子と正孔のサブバンド構造の変調によって統一的に説明できることが明らかにした。
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in Electron Device Letters 32(accepted)
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