SiOナノ粉末の真空蒸着による高品位酸化膜の低温作製とフレキシブル基板上のIC

• 研究課題/領域番号: 20360137
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 電子・電気材料工学
• 研究機関: 電気通信大学
• 研究代表者: 野崎 眞次 電気通信大学, 大学院・情報理工学研究科, 教授 (20237837)
• 研究分担者: 小野 洋 電気通信大学, 大学院・情報理工学研究科, 助教 (00134867)
• 研究期間 (年度): 2008 – 2011
• 研究課題ステータス: 完了 (2011年度)
• 配分額: 18,460千円 (直接経費: 14,200千円、間接経費: 4,260千円); 2011年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円); 2010年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円); 2009年度: 7,280千円 (直接経費: 5,600千円、間接経費: 1,680千円); 2008年度: 7,410千円 (直接経費: 5,700千円、間接経費: 1,710千円)
• キーワード: シリコン / 低温酸化膜 / 界面準位 / フレキシブル基板 / ゲート酸化膜 / 光酸化 / 真空蒸着 / ナノ粉末 / 低温作製 / quasi-static C-V / 界面準位密度 / シリコン酸化膜 / 紫外光 / MOS / 真空紫外光 / SiOナノ粉末 / C-t / 酸化 / SiO_2 / C-V

研究概要

本研究では、200℃以下でシリコン上にて高品位酸化膜を作製することを目的とする。SiOナノ粉末の真空蒸着、紫外光照射による200℃での水蒸気を使った光酸化、アルミニウム電極形成後200℃でのフォーミングガス雰囲気中でのアニールによりフラットバンド電圧シフトの小さい、界面準位密度4. 4×1011cm-2eV-1と十分低いMOSFETのゲート酸化膜として適当な高品位シリコン酸化膜の作製に成功した。

研究成果

• [雑誌論文] Microstructure developments of F-doped SiO2 thin filmsprepared by liquid phase deposition (2012)
  • 著者名/発表者名: Shijun Yu, Jae Sung Lee, Shinji Nozaki, Junghyun Cho
  • 雑誌名: Thin Solid Films 巻: 520 ページ: 1718-1723
  • 査読あり
• [雑誌論文] Microstructure developments of F-doped SiO2 thin films prepared by liquid phase deposition (2012)
  • 著者名/発表者名: Shijun Yu, Jae Sung Lee, Shinji Nozaki, Junghyun Cho
  • 雑誌名: Thin Solid Films 巻: 520 ページ: 1718-1723
  • 査読あり
• [雑誌論文] High-quality oxideformed by evaporation of SiO nanopowder : Application to MOSFET's on plasticsubstrates and GaN epilayers (2009)
  • 著者名/発表者名: S. Nozaki, S. Kimura, A. Koizumi, H. Onoand K. Onoand K. Uchida
  • 雑誌名: Materials Science in Semiconductor Processing 巻: 11 ページ: 384-389
  • 査読あり
• [雑誌論文] High-quality oxide formed by evaporation of SiO nanopowder : Application to MOSFET's on plastic substrates and GaN epilayers (2009)
  • 著者名/発表者名: S.Nozaki, S.Kimura, A.Koizumi, H.Ono, K.Uchida
  • 雑誌名: Materials Science in Semiconductor Processing 11 ページ: 384-389
  • 査読あり
• [雑誌論文] Photoluminescence of Sinanocrystals formed by the photosynthesis (2008)
  • 著者名/発表者名: S. Nozaki, C. Y. Chen, S. Kimura, H. Ono, and K. Uchida
  • 雑誌名: Thin Solid Films 巻: 517 ページ: 50-54
  • 査読あり
• [雑誌論文] Photoluminescence of Si nanocrystals formed by the photosynthesis (2008)
  • 著者名/発表者名: S.Nozaki, C.Y.Chen, S.Kimura, H.Ono, K.Uchida
  • 雑誌名: Thin Solid Films 517 ページ: 50-54
  • 査読あり
• [雑誌論文] Photoluminescence of Si nanocrystals formed by thephotosynthesis (2008)
  • 著者名/発表者名: S. Nozaki, C. Y. Chen, S. Kimura, H. Ono, K. Uchida
  • 雑誌名: Thin Solid Films 517 ページ: 50-54
  • 査読あり
• [学会発表] UV酸化による半導体ニッケル酸化物の作製 (2011)
  • 著者名/発表者名: 張東元、小泉淳、小野洋、内田和男、野崎眞次
  • 学会等名: 電気通信大学・東京農工大学第8回合同シンポジウム
  • 発表場所: 東京農工大学
  • 年月日: 2011-12-10
• [学会発表] XPSによる低温シリコン酸化膜の評価-フレキシブル基板上の集積回路をめざして (2011)
  • 著者名/発表者名: 野崎眞次
  • 学会等名: 日本電子EPMA・表面分析ユーザーズミーティング2011
  • 発表場所: 東京大学武田先端知ビル
  • 年月日: 2011-10-07
• [学会発表] UV酸化による半導体ニッケル酸化物の作製 (2011)
  • 著者名/発表者名: 張東元、小泉淳、内田和男、Ramakrishnan Veerabahu、野崎眞次
  • 学会等名: 第72回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形大学
  • 年月日: 2011-09-01
• [学会発表] SiOナノ粉末への光照射によるSiナノクリスタルの形成機構 (2010)
  • 著者名/発表者名: 杉本真矩、小泉淳、小野洋、内田和男、野崎眞次
  • 学会等名: 第30回表面科学学術講演会
  • 発表場所: 大阪大学
  • 年月日: 2010-11-05
• [学会発表] 真空紫外光照射によるSi/SiO2界面構造の改質 (2010)
  • 著者名/発表者名: 山崎政宏、小泉淳、小野洋、内田和男、野崎眞次
  • 学会等名: 第71回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 長崎大学
  • 年月日: 2010-09-16
• [学会発表] フレキシブル基板、化合物半導体基板上のMOSFET作製用酸化シリコンナノ粒子:真空蒸着と光酸化による高品位酸化膜の作製 (2010)
  • 著者名/発表者名: 野崎眞次
  • 学会等名: ケースレー・シンポジウム2010
  • 発表場所: ホテルインターコンチネンタル東京ベイ
  • 年月日: 2010-07-23
• [学会発表] フレキシブル基板、化合物半導体基板上のMOSFET作製用酸化シリコンナノ粒子:真空蒸着と光酸化による高品位酸化膜の作製 (2010)
  • 著者名/発表者名: 野崎眞次
  • 学会等名: ケースレー・シンポジウム2010
  • 発表場所: ホテルインターコンチネンタル東京ベイ(基調講演)
  • 年月日: 2010-07-23
• [学会発表] C-t法による低温酸化膜MOSキャパシターの電気的特性評価 (2010)
  • 著者名/発表者名: 高井伸彰、小池俊平、小野洋、内田和男、野崎眞次
  • 学会等名: 電子情報通信学会東京支部学生会
  • 発表場所: 東京電機大学
  • 年月日: 2010-03-13
• [学会発表] C-t法による低温酸化膜MOSキャパシターの電気的特性評価 (2010)
  • 著者名/発表者名: 高井伸彰、小池俊平、小野洋、内田和男、野崎眞次
  • 学会等名: 電子情報通信学会東京支部学生会講演会
  • 発表場所: 東京電機大学
  • 年月日: 2010-03-13
• [学会発表] C-t法による低温酸化膜MOSキャパシターの電気的特性評価 (2010)
  • 著者名/発表者名: 高井伸彰, 小池俊平, 小野洋, 内田和男, 野崎眞次
  • 学会等名: 電子情報通信学会東京支部学生会講演論文集
  • 発表場所: 東京電機大学
  • 年月日: 2010-03-13
• [学会発表] SiOナノ粒子への光照射によるシリコンナノ結晶の形成機構 (2009)
  • 著者名/発表者名: 杉本真矩、小泉淳、小野洋、内田和男、野崎真次
  • 学会等名: 電気通信大学・東京農工大学第6回合同シンポジウム
  • 発表場所: 東京農工大学
  • 年月日: 2009-12-05
• [学会発表] SiO粉末への光照射によるSiナノ結晶の形成 (2008)
  • 著者名/発表者名: 李宰盛、野崎真次、小泉淳、内田和男、小野洋
  • 学会等名: 第69回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 中部大学
  • 年月日: 2008-09-03
• [学会発表] High-quality oxideformed by evaporation of SiO nanopowder : Application to MOSFET's on plasticsubstrates and GaN epilayers (2008)
  • 著者名/発表者名: S. Nozaki, S. Kimura, A. Koizumi, H. Onoand K. Uchida
  • 学会等名: The E-MRS2008 Spring Meeting
  • 発表場所: Strasbourg, France
  • 年月日: 2008-05-30
• [学会発表] High-quality oxide formed by evaporation of SiO nanopowder : Application to MOSFET's on plastic substrates and GaN epilayers (2008)
  • 著者名/発表者名: S.Nozaki, S.Kimura, A.Koizumi, H.Ono, K.Uchida
  • 学会等名: The E-MRS 2008 Spring Meeting
  • 発表場所: Strasbourg, France(招待講演)
  • 年月日: 2008-05-30
• [学会発表] High-quality oxide formed by evaporation of SiO nanopowder : Application to MOSFET's on plastic substrates and GaN epilayers(招待講演) (2008)
  • 著者名/発表者名: S. Nozaki, S. Kimura, A. Koizumi, H. Ono, K. Uchida
  • 学会等名: The E-MRS 2008 Spring Meeting, SymposiumJ
  • 発表場所: Strasbourg, France
  • 年月日: 2008-05-30
• [備考]
  • URL: http://www.w3-4f5f.ee.uec.ac.jp
• [備考]
  • URL: http://www.w3-4f5f.ee.uec.ac.jp
• [備考]
  • URL: http://www.w3-4f5f.ee.uec.ac.jp
• [備考]
  • URL: http://www.w3-4f5f.ee.uec.ac.jp
• [備考]
  • URL: http://www.w3-4f5f.ee.uec.ac.jp