| 研究課題/領域番号 |
20360140
|
|---|
| 研究種目 |
基盤研究(B)
|
| 配分区分 | 補助金 |
|---|
| 応募区分 | 一般 |
|---|
| 研究分野 |
電子・電気材料工学
|
|---|
| 研究機関 | 大阪大学 |
|---|
研究代表者 |
森 勇介 大阪大学, 工学研究科, 教授 (90252618)
|
|---|
| 研究分担者 |
北岡 康夫 大阪大学, 工学研究科, 教授 (70444560)
今出 完 大阪大学, 工学研究科, 特任助教 (40457007)
川村 史朗 大阪大学, 工学研究科, 研究員 (80448092)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2008 – 2010
|
| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
|
| 配分額 *注記 |
19,370千円 (直接経費: 14,900千円、間接経費: 4,470千円)
2010年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
2009年度: 3,640千円 (直接経費: 2,800千円、間接経費: 840千円)
2008年度: 13,000千円 (直接経費: 10,000千円、間接経費: 3,000千円)
|
|---|
| キーワード | 窒化ガリウム / Naフラックス法 / 液相エピタキシャル / 溶液攪拌 / GaN / Seeded Growth / 成長モード / 低転位化 / 長時間成長 / LPE / 対流シミュレーション |
|---|
| 研究概要 |
Naフラックス法において微小GaN単結晶を種結晶に用いた、バルクGaN単結晶成長を行った。種結晶外核発生を抑制するCに加え、SrやBa、Caをフラックスに添加することで六角柱状の結晶が得られることが分かった。加えて、溶液攪拌により、種結晶上成長が促進されることが明らかになった。これらの結果を踏まえて、従来で最も長い600時間育成を行った結果、高さ11mm、幅9.0mm、X線ロッキングカーブ半値幅が20～50秒と極めて良好な結晶性を有する六角柱状バルクGaN単結晶成長に成功した。
|
