| 研究課題/領域番号 |
20560026
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 上智大学 |
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研究代表者 |
佐々木 哲朗 上智大学, 半導体研究所, 准教授 (20321630)
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| 連携研究者 |
小山 裕 東北大学, 工学研究科, 教授 (80169367)
田邉 匡生 東北大学, 工学研究科, 助教 (10333840)
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2010
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2010年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2009年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2008年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
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| キーワード | テラヘルツ / 反射分光 / 複屈折率 / 複素屈折率 / エリプソメトリー |
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| 研究概要 |
GaPテラヘルツ信号発生装置を光源として利用した「テラヘルツ分光エリプソメトリー測定装置」を実現し、これを用いて有機分子結晶や半導体結晶の複素屈折率を求めた。また、膜厚計として利用するにあたり、光源の高精度・高分解能化を図った結果、当初の目標値を超えるメートル単位の厚膜に対する膜厚測定を実現することができるようになった。
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