| 研究課題/領域番号 |
20560640
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
複合材料・物性
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| 研究機関 | 山形大学 |
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研究代表者 |
高橋 辰宏 山形大学, 大学院・理工学研究科, 教授 (60344818)
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| 連携研究者 |
米竹 孝一郎 山形大学, 大学院・理工学研究科, 教授 (30143085)
石川 優 山形大学, 大学院・理工学研究科, 教授 (30007190)
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2010
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2010年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2009年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2008年度: 2,860千円 (直接経費: 2,200千円、間接経費: 660千円)
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| キーワード | 配向制御 / ナノフィラー / 磁場 / 気相成長炭素繊維 / 複合 |
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| 研究概要 |
本研究は、軽量高強度、配向制御応答性をもつハイブリッドナノフィラーであるNi被覆気相成長炭素繊維を作製し、それを高分子中に分散させ磁場による精密配向制御の基盤技術を確立し、界面接着強度向上の検討をおこなった。また、連続磁場配向プロセッシングの装置を開発しその連続プロセスで配向制御されたサンプルを作成した。さらに、他の磁性被覆ナノフィラーにも応用し、ハイブリッドナノフィラーのさらなる展開の重要性を明らかにした。
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