| 研究課題/領域番号 |
20613015
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
元素戦略
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| 研究機関 | 神奈川県産業技術センター |
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研究代表者 |
秋山 賢輔 神奈川県産業技術センター, 電子技術部, 主任研究員 (70426360)
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| 研究分担者 |
平林 康男 神奈川県産業技術センター, 電子技術部, 主任研究員 (30426358)
金子 智 神奈川県産業技術センター, 電子技術部, 主任研究員 (40426359)
安井 学 神奈川県産業技術センター, 電子技術部, 主任研究員 (80426361)
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2010
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2010年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2009年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2008年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
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| キーワード | 鉄シリサイド / 半導体 / エピタキシャル成長 / 薄膜成長 / 電気特性 / シリコンカーバイド / エピタキシャル |
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| 研究概要 |
Si基板上の3C-SiCエピタキシャル薄膜上に、スパッタ法にて鉄シリサイド(ss-FeSi_2)薄膜のエピタキシャル成長を実現した。(100)面及び(111)面いずれの3C-SiC上においても(100)配向したss-FeSi_2薄膜がエピタキシャル成長することが確認され、(100)3C-SiC上には2回対象を有するss-FeSi_2薄膜が、(111)3C-SiC上には3回対象を有するss-FeSi_2薄膜がそれぞれエピタキシャル成長した。半絶縁性4H-SiC基板上に成長したエピタキシャルss-FeSi_2薄膜の電気伝導特性評価より、正孔が伝導キャリアとなるp型であり、室温でのキャリア濃度は1.5×1018 cm^3であった。さらに、室温及び30Kでのキャリア移動度はそれぞれ12及び 140 cm^2/Vsであり既報の溶媒法にて作製された単結晶データを上回る高い結晶性が確認された。
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