| 研究課題/領域番号 |
20860081
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| 研究種目 |
若手研究(スタートアップ)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 高知工科大学 |
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研究代表者 |
川原村 敏幸 高知工科大学, ナノデバイス研究所, 助教 (00512021)
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2009
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| 研究課題ステータス |
完了 (2009年度)
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| 配分額 *注記 |
3,289千円 (直接経費: 2,530千円、間接経費: 759千円)
2009年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2008年度: 1,729千円 (直接経費: 1,330千円、間接経費: 399千円)
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| キーワード | ミスト化学気相成長(CVD)法 / 大気圧プラズマ / 薄膜成長 / 酸化亜鉛(ZnO) / ミスト液滴 / 機能薄膜 / 薄膜エッチング / ミスト / 薄膜食刻(エッチング) / 装置開発 / 大気圧中プラズマ発生 / 表面反応促進 / 結晶成長 / 半導体物性 / ミストCVD法 / 酸化亜鉛薄膜 / ZnO / 新手法開発 |
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| 研究概要 |
省エネルギ省資源な手法であるミスト化学気相成長(CVD)法を、低温領域でも高効率に高品質な薄膜を作製する技術とする為に、本法に対して大気圧プラズマを適用した装置を考案し、試作した。また本技術開発に伴い、反応場におけるミスト液滴の挙動に注目し、反応が非常に高効率に進行していることを明らかとした。さらに関連技術としてミストを利用した新たなエッチング技術を開発した。
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