研究課題
基盤研究(A)
光共振器中に埋め込まれたGaAs/AlGaAs単一量子ドットの中性励起子および荷電励起子の光励起発光スペクトルの磁場依存性測定から、電子と正孔のg因子を同定し、電子スピン状態の光書き込み、光制御、光トモグラフィ測定に不可欠なV型三準位構造が実現できることを明らかにした。また、量子井戸においても光書き込みおよび光読み出しの過程が量子的なものであることを示した。さらに、光感受率の虚部を利用した従来のトモグラフィックカー回転に加え、実部を利用したトモグラフィックカー楕円率と呼ぶ新たな手法でスピンコヒーレンスの測定が可能であることを示し、コヒーレントカー効果の一般的概念を構築した。
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