| 研究課題/領域番号 |
21246050
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
田畑 仁 東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授 (00263319)
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| 研究分担者 |
関 宗俊 東京大学, 大学院・工学系研究科, 助教 (40432439)
松井 裕章 東京大学, 大学院・工学系研究科, 講師 (80397752)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
43,680千円 (直接経費: 33,600千円、間接経費: 10,080千円)
2011年度: 8,450千円 (直接経費: 6,500千円、間接経費: 1,950千円)
2010年度: 9,750千円 (直接経費: 7,500千円、間接経費: 2,250千円)
2009年度: 25,480千円 (直接経費: 19,600千円、間接経費: 5,880千円)
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| キーワード | マルチフェロ / スピントロニクス / 誘電体 / 磁性体 / ヘテロ接合 / 極限構造制御 / ヘテロ結合 / 強磁性秩序 / スピネルフェライト |
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| 研究概要 |
究極のメモリとして、酸化物磁性半導体(ZnO)をチャネル層に、マルチフェロ酸化物のガーネット型フェライトをゲート絶縁層としたヘテロ接合素子において、MOS-FETタイプのマルチフェロゲート型スピントランジスタ試作を試みた。酸化物ヘテロ接合において、酸化物スピントロニクスのチャネル電流(電荷+スピン情報)を、強磁性強誘電体(マルチフェロ)ゲートで制御する事で、電界制御によるスピン差異運動を変調制御可能なCMOSトランジスタの優位点を活かした新タイプのデバイスのプロトタイプは、高付加価値の多値情報処理型の超高密度メモリとして、日本初のオリジナルなリコンフィギュアラブルメモリ(不揮発メモリ機能を有し、適宜情報の書き換えが可能なメモリ)への適用が期待される。
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