高性能ULSIのための歪みGeチャネルの形成と物性評価

• 研究課題/領域番号: 21246054
• 研究種目: 基盤研究(A)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 電子・電気材料工学
• 研究機関: 九州大学
• 研究代表者: 中島 寛 九州大学, 産学連携センター, 教授 (70172301)
• 連携研究者: 王 冬 九州大学, 産学連携センター, 特任准教授 (10419616)
• 研究協力者: 楊 海貴 JSPS, 外国人, 特別研究員
• 研究期間 (年度): 2009 – 2011
• 研究課題ステータス: 完了 (2011年度)
• 配分額: 46,410千円 (直接経費: 35,700千円、間接経費: 10,710千円); 2011年度: 5,850千円 (直接経費: 4,500千円、間接経費: 1,350千円); 2010年度: 12,220千円 (直接経費: 9,400千円、間接経費: 2,820千円); 2009年度: 28,340千円 (直接経費: 21,800千円、間接経費: 6,540千円)
• キーワード: 半導体物性 / 電子・電気材料 / 結晶工学 / 先端機能デバイス / 絶縁膜

研究概要

本研究では、Si-On-Insulator上にSiGeをエピタキシャル成長させて酸化濃縮する手法により歪みSiGe-On-Insulator(SGOI)を形成すると共に、Ge基板上に高誘電率ゲート絶縁膜(High-k膜)を形成する手法を構築した。得られた成果は次の通りである。高品質SGOI形成にはGe濃度50%が最適で、歪み率と正孔チャネル移動度はそれぞれ1. 7%と570 cm^2/V・sである。Ge基板上へHigh-k膜を形成し、酸化膜換算膜厚(EOT) 1. 0 nm、界面準位密度9×10^<11> cm^<-2> eV^<-1>、同一EOTのSiO_2と比べて4桁のゲートリーク電流低減を達成した。Ge基板上にn-およびp-MOSFETを試作し、電子移動度1097 cm^2/V・s、正孔移動度376 cm^2/V・sの性能を得た。これはSiと比べて約1. 5倍の高移動化を意味する。

研究成果

• [雑誌論文] Influence of SiGe layer thickness and Ge fraction on compressive strain and hole mobility in a SiGe-on-insulator substrate fabricated by the Ge condensation technique (2011)
  • 著者名/発表者名: H. Yang, D. Wang, H. Nakashima
  • 雑誌名: Thin Solid Films 巻: Vol.520, No.8 ページ: 3283-3287
  • 査読あり
• [雑誌論文] Fabrication of Ge Metal-Oxide-Semiconductor Capacitors with High-Quality Interface by Ultrathin SiO_2/GeO_2 Bilayer Passivation and Postmetallization Annealing Effect of Al (2011)
  • 著者名/発表者名: K.Hirayama, R.Ueno, Y.Iwamura, K.Yoshino, D.Wang, H.Yang, H.Nakashima
  • 雑誌名: Jpn.J.Appl.Phys 巻: Vol.50 号: 4S ページ: 04DA10-04DA10
  • DOI: 10.1143/jjap.50.04da10
  • 査読あり
• [雑誌論文] High-Performance Ge Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors with a Gate Stack Fabricated by Ultrathin SiO_2/GeO_2 Bilayer Passivation (2011)
  • 著者名/発表者名: K.Yamamoto, R.Ueno, T.Yamanaka,K.Hirayama, H.Yang, D.Wang, H.Nakashima
  • 雑誌名: Appl.Phys.Express 巻: Vol.4, No.5 号: 5 ページ: 051301-051301
  • DOI: 10.1143/apex.4.051301
  • NAID: 10028210109
  • 査読あり
• [雑誌論文] Ohmic contact formation on n-type Ge by direct deposition of TiN (2011)
  • 著者名/発表者名: M.Iyota, K.Yamamoto, D.Wang, H.Yang, H.Nakashima
  • 雑誌名: Appl.Phys.Lett 巻: Vol.98, No.19 号: 19
  • DOI: 10.1063/1.3590711
  • 査読あり
• [雑誌論文] Postmetallization annealing effect of TiN-gate Ge metal-Oxide-semiconductor capacitor with ultrathin SiO_2/GeO_2 bilayer passivation (2011)
  • 著者名/発表者名: H.Nakashima, Y.Iwamura, K.Sakamoto, D.Wang, K.Hirayama, K.Yamamoto, H.Yang
  • 雑誌名: Appl.Phys.Lett 巻: Vol.98, No.25 号: 25
  • DOI: 10.1063/1.3601480
  • NAID: 120004979402
  • 査読あり
• [雑誌論文] Effective Passivation of Interface Dipole in TiN-Gate Ge-MOS Capacitor with Ultrathin SiO_2/GeO_2 Bilayer by Nitrogen Incorporation (2011)
  • 著者名/発表者名: K.Sakamoto, Y.Iwamura, K.Yamamoto, H.Yang, D.Wang, H.Nakashima
  • 雑誌名: Extended Abstracts of the 2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2011) ページ: 885-886
  • 査読あり
• [雑誌論文] High-Electron-Mobility Ge n-MOSFET with TiN Metal Gate (2011)
  • 著者名/発表者名: T.Yamanaka, K.Yamamoto, K.Sakamoto, H.Yang, D.Wang, H.Nakashima
  • 雑誌名: Extended Abstracts of the 2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2011) ページ: 889-890
  • 査読あり
• [雑誌論文] Influence of SiGe layer thickness and Ge fraction on compressive strain and holemobility in a SiGe-on-insulator substrate fabricated by the Ge condensation technique (2011)
  • 著者名/発表者名: H.Yang, D.Wang, H.Nakashima
  • 雑誌名: Thin Solid Films 巻: Vol.520,No.8 号: 8 ページ: 3283-3287
  • DOI: 10.1016/j.tsf.2011.10.078
  • 査読あり
• [雑誌論文] Source/drain junction fabrication for Ge metal-Oxide-semiconductor field-effect transistors (2011)
  • 著者名/発表者名: K.Yamamoto, T.Yamanaka, R.Ueno, K.Hirayama, H.Yang, D.Wang, H.Nakashima
  • 雑誌名: Thin Solid Films 巻: Vol.520, No.8 号: 8 ページ: 3382-3386
  • DOI: 10.1016/j.tsf.2011.10.047
  • 査読あり
• [雑誌論文] Effect of Al_2O_3 Deposition and Subsequent Annealing on Passivation of Defectsin Ge-rich SiGe-on-Insulator (2011)
  • 著者名/発表者名: H.Yang, M.Iyota, S.Ikeura, D.Wang, H.Nakashima
  • 雑誌名: Key Engineering Material 巻: Vol.470 ページ: 79-84
  • 査読あり
• [雑誌論文] Effective passivation of defects in Ge-rich SiGe-on-insulator substrates by Al_2O_3 deposition and subsequent post-annealing (2011)
  • 著者名/発表者名: H.Yang, M.Iyota, S.Ikeura, D.Wang, H.Nakashima
  • 雑誌名: Solid State Electronics 巻: (印刷中)
  • NAID: 120004951622
  • 査読あり
• [雑誌論文] Fabrication of Ge-MOS capacitors with high quality interface by ultra-thin SiO_2/GeO_2 bi-layer passivation combined with the subsequent SiO_2-depositions using magnetron sputtering (2011)
  • 著者名/発表者名: K.Hirayama, K.Yoshino, R.Ueno, Y.Iwamura, H.Yang, D.Wang, H.Nakashima
  • 雑誌名: Solid State Electronics 巻: (印刷中)
  • 査読あり
• [雑誌論文] 極薄GeO_2界面層を有するZr系high-k/Geゲートスタック構造の形成 (2011)
  • 著者名/発表者名: 平山佳奈、岩村義明、上野隆二、楊海貴、王冬、中島寛
  • 雑誌名: 九州大学大学院総合理工学報告 巻: 第32巻 ページ: 5-11
  • 査読あり
• [雑誌論文] Passivation of Electrically Active Defects in Ge-Rich SiGe-on-Insulator by Al2O3 Deposition and Subsequent Post-Deposition Annealing (2010)
  • 著者名/発表者名: H. Yang, M. Iyota, S. Ikeura, D. Wang, H. Nakashima
  • 雑誌名: App. Phys. Express 巻: Vol.3 ページ: 71302-3
  • 査読あり
• [雑誌論文] Defect evaluation and control of SiGe-on-insulator substrate fabricated by the Gecondensation technique (2010)
  • 著者名/発表者名: H.Yang, D.Wang, H.Nakashima
  • 雑誌名: Proceeding of The Forum on the Science and Technology of Silicon Materials 2010 ページ: 438-448
• [雑誌論文] Hole-Mobility Enhancement in Ultrathin Strained Si_<0.5>Ge_<0.5>-on-Insulator Fabricated by Ge Condensation Technique (2010)
  • 著者名/発表者名: H.Yang, D.Wang, H.Nakashima
  • 雑誌名: Proceeding of 10th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology (ICSICT2010) 巻: O05_06 ページ: 1-3
  • 査読あり
• [雑誌論文] Defect characterization and control for Site-on-insulator (2010)
  • 著者名/発表者名: D.Wang, H.Yang, H.Nakashima
  • 雑誌名: Proceeding of 10th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology (ICSICT2010) 巻: I12_08(Invited) ページ: 1-4
  • 査読あり
• [雑誌論文] Fabrication of Ge-MOS Capacitors with High-Quality Interface by Ultra-ThinSiO_2/GeO_2 Bi-Layer Passivation (2010)
  • 著者名/発表者名: K.Hirayama, R.Ueno, Y.Iwamura, K.Yoshino, D.Wang, H.Yang, H.Nakashima
  • 雑誌名: Extended Abstracts of the 2010 Interational Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2010) ページ: 205-206
  • 査読あり
• [雑誌論文] Passivation of Electrically Active Defects in Ge-Rich SiGe-on-Insulator by Al_2O_3 Deposition and Subsequent Post-Deposition Annealing (2010)
  • 著者名/発表者名: H.Yang, M.Iyota, S.Ikeura, D.Wang, H.Nakashima
  • 雑誌名: Applied Physics Express 巻: Vol.3 ページ: 71302-3
  • NAID: 10026495131
  • 査読あり
• [雑誌論文] Electrical characterization of High-k Gate Dielectrics on Ge with HfGeN and GeO_2 interlayers (2010)
  • 著者名/発表者名: K.Hirayama, W.Kira, K.Yoshino, H.Yang, D.Wang, H.Nakashima
  • 雑誌名: Thin Solid Films Vol. 518 ページ: 2505-2508
  • 査読あり
• [雑誌論文] Defect control by Al-deposition and the subsequent post-annealing for SiGe-on-insulator substrates with different Ge fractions (2010)
  • 著者名/発表者名: H.Yang, D.Wang, H.Nakashima, K.Hiravama, S.Kojima, S.Ikeura
  • 雑誌名: Thin Solid Films Vol. 518 ページ: 2342-2345
  • NAID: 120005289466
  • 査読あり
• [雑誌論文] Defect-Induced Deep Levels in SiGe-On-Insulator Substrate Fabricated using Ge Condensation Technique (2009)
  • 著者名/発表者名: H.Yang, D.Wang, H.Nakashima
  • 雑誌名: Extended Abstracts of the 2009 International Conference on Solid State Devices and Materials ページ: 396-397
  • 査読あり
• [雑誌論文] Optical and Electrical Characterization of Defects in SiGe-on-Insulator (2009)
  • 著者名/発表者名: H.Nakashima, D.Wang, H.Yang
  • 雑誌名: The Electrochemical Society Transactions Vol. 25, No.7 ページ: 99-114
  • 査読あり
• [雑誌論文] Evidence for existence of deep acceptor levels in SiGe-on-insulator substrate fabricated using Ge condensation techniaue (2009)
  • 著者名/発表者名: H.Yang, D.Wang, H.Nakashima
  • 雑誌名: Applied Physics Letters Vol. 95, No.12 ページ: 122103-3
  • 査読あり
• [雑誌論文] Optical and electrical evaluations of SiGe layers on insulator fabricated using Ge condensation by dry oxidation (2009)
  • 著者名/発表者名: D.Wang, H.Nakashima
  • 雑誌名: Solid-State Electronics Vol. 53, No.8 ページ: 841-849
  • 査読あり
• [学会発表] Ge上へのZrとSiO_2堆積によるhigh-k/Geゲートスタックの形成 (2011)
  • 著者名/発表者名: 小島秀太、坂本敬太、山本圭介、楊海貴、王冬、中島寛
  • 学会等名: 2011年応用物理学会九州支部学術講演会
  • 発表場所: 鹿児島大学
  • 年月日: 2011-11-26
• [学会発表] 極薄ゲート絶縁膜を有するGe-MOSFET作製のための表面保護プロセスの検討 (2011)
  • 著者名/発表者名: 高橋涼介、山中武、山本圭介、楊海貴、王冬、中島寛
  • 学会等名: 2011年応用物理学会九州支部学術講演会
  • 発表場所: 鹿児島大学
  • 年月日: 2011-11-26
• [学会発表] ショットキーソース/ドレインGe p-MOSFETの作製と電気的特性 (2011)
  • 著者名/発表者名: 佐田隆宏、楊海貴、山本圭介、王冬、中島寛
  • 学会等名: 2011年応用物理学会九州支部学術講演会
  • 発表場所: 鹿児島大学
  • 年月日: 2011-11-26
• [学会発表] Effective Passivation of Interface Dipole in TiN-Gate Ge-MOS Capacitor with Ultrathin SiO_2/GeO_2 Bilayer by Nitrogen Incorporation (2011)
  • 著者名/発表者名: K.Sakamoto, Y.Iwamura, K.Yamamoto, H.Yang, D.Wang, H.Nakashima
  • 学会等名: 2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2011)
  • 発表場所: WINC AICHI (Nagoya)
  • 年月日: 2011-09-28
• [学会発表] High-Electron-Mobility Ge n-MOSFET with TiN Metal Gate (2011)
  • 著者名/発表者名: T.Yamanaka,K.Yamamoto, K.Sakamoto, H.Yang, D.Wang, H.Nakashima
  • 学会等名: 2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2011)
  • 発表場所: WINC AICHI (Nagoya)
  • 年月日: 2011-09-28
• [学会発表] TiNゲートGe-MOSキャパシタのPMAによる窒素導入効果 (2011)
  • 著者名/発表者名: 坂本敬太、岩村義明、山本圭介、楊海貴、王冬、中島寛
  • 学会等名: 2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形大学
  • 年月日: 2011-09-01
• [学会発表] TiN/SiO_2/GeO_2/Geゲートスタックを有するGe n-MOSFETの電気的特性 (2011)
  • 著者名/発表者名: 山中武、山本圭介、上野隆二、坂本敬太、楊海貴、王冬、中島寛
  • 学会等名: 2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形大学
  • 年月日: 2011-09-01
• [学会発表] High Performance Ge MOSFETS with Bilayer-Passivated MOS interface (2011)
  • 著者名/発表者名: K.Yamamoto, R.Ueno, T.Yamanaka, K.Hirayama, H.Yang, D.Wang, H.Nakashima
  • 学会等名: 7^<th> Int.Conf.on Si Epitaxy and Heterostructures
  • 発表場所: Leuven, Belgium
  • 年月日: 2011-08-30
• [学会発表] Alleviation of Fermi-level pinning at metal/Ge interface by direct deposition of TiN on Ge surface (2011)
  • 著者名/発表者名: M.Iyota, K.Yamamoto, D.Wang, H.Yang, H.Nakashima
  • 学会等名: 7^<th> Int.Conf.on Si Epitaxy and Heterostructures
  • 発表場所: Leuven, Belgium
  • 年月日: 2011-08-30
• [学会発表] "Mobility and strain evaluations of SiGe-on-insulator substrates with different SiGe layer thickness and Ge fraction (2011)
  • 著者名/発表者名: H. Yang, D. Wang, H. Nakashima
  • 学会等名: 7^<th> Int. Conf. on Si Epitaxy and Heterostructures
  • 発表場所: Leuven, Belgium
  • 年月日: 2011-08-29
• [学会発表] Mobility and strain evaluations of SiGe-on-insulator substrates with different SiGelayer thickness and Ge fraction (2011)
  • 著者名/発表者名: H.Yang, D.Wang, H.Nakashima
  • 学会等名: 7^<th> Int.Conf.on Si Epitaxy and Heterostructures
  • 発表場所: Leuven, Belgium
  • 年月日: 2011-08-29
• [学会発表] High-quality gate-stack formation on Ge and defect termination at the interface (2011)
  • 著者名/発表者名: H. Nakashima, K. Hirayama, K. Yamamoto, H. Yang, D. Wang
  • 学会等名: E-MRS 2011 Spring Meeting
  • 発表場所: Nice, France
  • 年月日: 2011-05-11
• [学会発表] High-quality gate-stack formation on Ge and defect termination at the interface (2011)
  • 著者名/発表者名: H.Nakashima, K.Hirayama, K.Yamamoto, H.Yang, D.Wang
  • 学会等名: E-MRS 2011 Spring Meeting, Symposium I, Transport and photonics in Si-based nanodevices, 17-6
  • 発表場所: Nice, France(招待講演)
  • 年月日: 2011-05-11
• [学会発表] Ge-MOSキャパシタに於けるTiNメタルゲート形成後の熱処理効果 (2011)
  • 著者名/発表者名: 岩村義明、坂本敬太、平山佳奈、山本圭介、楊海貴、王冬、中島寛
  • 学会等名: 2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学
  • 年月日: 2011-03-27
• [学会発表] 2層パッシベーション法で作製したGe-MOSFETの電気特性 (2011)
  • 著者名/発表者名: 山本圭介、上野隆二、山中武、平山佳奈、楊海貴、王冬、中島寛
  • 学会等名: 2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学
  • 年月日: 2011-03-27
• [学会発表] TiN堆積によるn-Ge基板へのオーミックコンタクトの形成 (2011)
  • 著者名/発表者名: 井餘田昌俊、楊海貴、王冬、中島寛
  • 学会等名: 2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学
  • 年月日: 2011-03-24
• [学会発表] 低障壁TiN/n-Geコンタクトの形成とコンタクト抵抗評価 (2011)
  • 著者名/発表者名: 山本圭介、原田健司、楊海貴、王冬、中島寛
  • 学会等名: 2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 早稲田大学
  • 年月日: 2011-03-18
• [学会発表] HfGe_xショットキー・ソース/ドレインGe p-MOSFETの作製 (2011)
  • 著者名/発表者名: 山本圭介、佐田隆宏、山中武、坂本敬太、小島秀太、楊海貴、王冬、中島寛
  • 学会等名: 2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 早稲田大学
  • 年月日: 2011-03-16
• [学会発表] TiNショットキー・ソース/ドレインGe n-MOSFETの作製 (2011)
  • 著者名/発表者名: 山本圭介、山中武、原田健司、佐田隆宏、坂本敬太、小島秀太、王冬、中島寛
  • 学会等名: 2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 早稲田大学
  • 年月日: 2011-03-16
• [学会発表] 1.0nm EOTを有するhigh-k/Geゲートスタックの形成 (2011)
  • 著者名/発表者名: 小島秀太、坂本敬太、山本圭介、王冬、中島寛
  • 学会等名: 2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 早稲田大学
  • 年月日: 2011-03-16
• [学会発表] Al/TiN/ZrSiO_x/GeO_2/Geゲートスタックの形成 (2010)
  • 著者名/発表者名: 坂本敬太、平山佳奈、岩村義明、上野隆二、楊海貴、王冬、中島寛
  • 学会等名: 2010年応用物理学会九州支部学術講演会
  • 発表場所: 九州大学
  • 年月日: 2010-11-28
• [学会発表] 2層パッシベーションで作製したMOS界面を有するGe-nMOSFETの電気的特性 (2010)
  • 著者名/発表者名: 山中武、山本圭介、上野隆二、平山佳奈、岩村義明、楊海貴、王冬、中島寛
  • 学会等名: 2010年応用物理学会九州支部学術講演会
  • 発表場所: 九州大学
  • 年月日: 2010-11-28
• [学会発表] Defect evaluation and control of Site-on-insulator substrate fabricated by the Gecondensation technique (2010)
  • 著者名/発表者名: H.Yang, D.Wang, H.Nakashima
  • 学会等名: The Forum on the Science and Technology of Silicon Materials
  • 発表場所: 岡山大学
  • 年月日: 2010-11-15
• [学会発表] Hole-Mobility Enhancement in Ultrathin Strained Si_<0.5>Ge_<0.5>-on-Insulator Fabricated by Ge Condensation Technique (2010)
  • 著者名/発表者名: H.Yang, D.Wang, H.Nakashima
  • 学会等名: The 10th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology (ICSICT2010)
  • 発表場所: Shanghai, China
  • 年月日: 2010-11-04
• [学会発表] Defect characterization and control for Site-on-insulator (2010)
  • 著者名/発表者名: D.Wang, H.Yang, H.Nakashima
  • 学会等名: The 10th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology (ICSICT2010)
  • 発表場所: Shanghai, China(Invited)
  • 年月日: 2010-11-04
• [学会発表] 酸化濃縮Site-On-Insulator基板の欠陥評価と制御 (2010)
  • 著者名/発表者名: 中島寛、楊海貴、王冬
  • 学会等名: 日本学術振興会「結晶加工と評価技術第145委員会」第124回研究会
  • 発表場所: 明治大学
  • 年月日: 2010-10-19
• [学会発表] Fabrication of Ge-MOS Capacitors with High-Quality Interface by Ultra-Thin SiO_2/GeO_2 Bi-Layer Passivation (2010)
  • 著者名/発表者名: K.Hirayama, R.Ueno, Y.Iwamura, K.Yoshino, D.Wang, H.Yang, H.Nakashima
  • 学会等名: 2010 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2010)
  • 発表場所: 東京大学
  • 年月日: 2010-09-23
• [学会発表] TiN/ZrSiO_x/GeO_2/Geゲートスタックの形成 (2010)
  • 著者名/発表者名: 岩村義明、平山佳奈、上野隆二、楊海貴、王冬、中島寛
  • 学会等名: 2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 長崎大学
  • 年月日: 2010-09-15
• [学会発表] Ge-MOS構造に於ける高品質界面層の形成 (2010)
  • 著者名/発表者名: 上野隆二、平山佳奈、岩村義明、吉野圭介、楊海貴、王冬、中島寛
  • 学会等名: 2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 長崎大学
  • 年月日: 2010-09-15
• [学会発表] Effect of Al_2O_3 deposition and the subsequent annealing on passivation of defectsin Ge-rich Site-on-insulator (2010)
  • 著者名/発表者名: H.Yang, D.Wang, H.Nakashima
  • 学会等名: International Symposium on Technology Evolution for Silicon Nano-Electronics
  • 発表場所: 東京工業大学
  • 年月日: 2010-06-03
• [学会発表] Effective Passivation of defects in Ge-rich SiGe-on-insulator substrates by Al_2O_3 deposition and the subsequent post-annealing (2010)
  • 著者名/発表者名: H.Yang, D.Wang, H.Nakashima
  • 学会等名: 5^<th> International SiGe Technology and Device Meeting
  • 発表場所: Stockholm, Sweden
  • 年月日: 2010-05-25
• [学会発表] Fabrication of high quality Ge-MOS capasitor by ultra-thin SiO_2/GeO_x bi-layer passivation combined with ECR SiO_2-deposition (2010)
  • 著者名/発表者名: K.Hirayama, K.Yoshino, R.Ueno, Y.Iwamura, H.Yang, D.Wang, H.Nakashima
  • 学会等名: 5^<th> International SiGe Technology and Device Meeting
  • 発表場所: Stockholm, Sweden
  • 年月日: 2010-05-25
• [学会発表] Ge上への極薄SiO_2/GeO_2界面層の形成 (2010)
  • 著者名/発表者名: 平山佳奈、吉野圭介、岩村義明、上野隆二、楊海貴、王冬、中島寛
  • 学会等名: 2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 東海大学
  • 年月日: 2010-03-18
• [学会発表] Al_2O_3PDAによる酸化濃縮SiGe-On-Insulator基板中の欠陥制御 (2010)
  • 著者名/発表者名: 井餘田昌俊、池浦奨悟、楊海貴、王冬、中島寛
  • 学会等名: 2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 東海大学
  • 年月日: 2010-03-17
• [学会発表] 酸化濃縮法で作成したSiGe-On-lnsulator基板中の欠陥制御 (2009)
  • 著者名/発表者名: 井餘田昌俊、池浦奨悟、楊海貴、王冬、中島寛
  • 学会等名: 2009年応用物理学会九州支部学術講演会
  • 発表場所: 熊本大学
  • 年月日: 2009-11-22
• [学会発表] GeO_2/Ge界面のDLTS法による評価 (2009)
  • 著者名/発表者名: 上野隆二、平山佳奈、吉野圭介、楊海貴、王冬、中島寛
  • 学会等名: 2009年応用物理学会九州支部学術講演会
  • 発表場所: 熊本大学
  • 年月日: 2009-11-22
• [学会発表] ZrSiO_x/GeO_2/Ge MIS構造の形成と電気的評価 (2009)
  • 著者名/発表者名: 岩村義明、平山佳奈、吉野圭介、楊海貴、王冬、中島寛
  • 学会等名: 2009年応用物理学会九州支部学術講演会
  • 発表場所: 熊本大学
  • 年月日: 2009-11-22
• [学会発表] Defect-Induced Deep Levels in SiGe-on-Insulator Substrate Fabricated using Ge Condensation Technique (2009)
  • 著者名/発表者名: H.Yang, D.Wang, H.Nakashima
  • 学会等名: 2009 International Conference on Solid State Devices and Materials
  • 発表場所: Sendai, Japan
  • 年月日: 2009-10-08
• [学会発表] Optical and Electrical Characterizations of Defects in SiGe-on-Insulator(Invited) (2009)
  • 著者名/発表者名: H.Nakashima, D.Wang, H.Yang
  • 学会等名: 216^<th> Electrochemical Society Meeting
  • 発表場所: Vienna, Austria
  • 年月日: 2009-10-06
• [学会発表] SiGe-on-Insulator基板形成時に発生する欠陥の電気・光学的評価 (2009)
  • 著者名/発表者名: 中島寛、楊海貴、王冬
  • 学会等名: 日本物理学会領域10格子欠陥・ナノ構造分科、第19回格子欠陥フォーラム「半導体格子欠陥の最前線」
  • 発表場所: 九州大学
  • 年月日: 2009-09-24
• [学会発表] ZrSiO_x/GeO_2/Ge MIS構造の形成と電気的評価 (2009)
  • 著者名/発表者名: 吉野圭介、平山佳奈、上野隆二、楊海貴、王冬、中島寛
  • 学会等名: 2009年秋季第70回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 富山大学
  • 年月日: 2009-09-11
• [学会発表] 酸化濃縮法で作成したSiGe-On-Insulator基板中の欠陥生成機構 (2009)
  • 著者名/発表者名: 池浦奨悟、楊海貴、王冬、中島寛
  • 学会等名: 2009年秋季第70回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 富山大学
  • 年月日: 2009-09-10
• [学会発表] 界面層にHfGeNおよびGeO_2を有するhigh-k膜/Ge構造の形成と電気的評価 (2009)
  • 著者名/発表者名: 中島寛、平山佳奈、楊海貴、王冬
  • 学会等名: 応用物理学会分科会シリコンテクノロジー : 「ゲートスタック研究の進展 Ge系材料を中心に」
  • 発表場所: 東京大学
  • 年月日: 2009-06-19
• [学会発表] Electrical characterization of High-k Gate Dielectrics on Ge with HfGeN and GeO_2 interlayers (2009)
  • 著者名/発表者名: K.Hirayama, W.Kira, K.Yoshino, H.Yang, D.Wang, H.Nakashima
  • 学会等名: European Materials Research Society 2009 Spring Meeting
  • 発表場所: Strasbourg, France
  • 年月日: 2009-06-11
• [学会発表] Defect Control by Al-deposition and the subsequent post-annealing for SiGe-on-insulator substrates with different Ge fractions (2009)
  • 著者名/発表者名: H.Yang, D.Wang, H.Nakashima, K.Hirayama, S.Kojima, S.Ikeura
  • 学会等名: European Materials Research Society 2009 Spring Meeting
  • 発表場所: Strasbourg, France
  • 年月日: 2009-06-08
• [備考]
  • URL: http://astec.kyushu-u.ac.jp/nakasima/naka_home.htm
• [備考]
  • URL: http://astec.kyushu-u.ac.jp/nakasima/naka_home.htm
• [備考]
  • URL: http://astec.kyushu-u.ac.jp/nakasima/naka_home.htm
• [備考]
  • URL: http://astec.kyushu-u.ac.jp/nakasima/naka_home.htm