| 研究課題/領域番号 |
21310083
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
マイクロ・ナノデバイス
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| 研究機関 | 独立行政法人産業技術総合研究所 |
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研究代表者 |
長尾 昌善 独立行政法人産業技術総合研究所, ナノエレクトロニクス研究部門, 主任研究員 (80357607)
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| 研究分担者 |
吉田 知也 (独)産業技術総合研究所, ナノエレクトロニクス研究部門, 研究員 (80462844)
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| 連携研究者 |
根尾 陽一郎 静岡大学, 電子工学研究所, 助教 (50312674)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
19,500千円 (直接経費: 15,000千円、間接経費: 4,500千円)
2011年度: 2,860千円 (直接経費: 2,200千円、間接経費: 660千円)
2010年度: 2,860千円 (直接経費: 2,200千円、間接経費: 660千円)
2009年度: 13,780千円 (直接経費: 10,600千円、間接経費: 3,180千円)
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| キーワード | マイクロファブリケーション / マイクロ・ナノデバイス / 電界放出 / 静電レンズ / 電子顕微鏡 / 電子ビームリソグラフィー |
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| 研究概要 |
電子顕微鏡などへの応用を目的とし、微小なフィールドエミッタと多段の静電レンズをシリコン基板上に一体成形したマイクロレンズ一体型フィールドエミッタを提案し、その作製プロセスの確立と構造最適化を行った。その結果、イオン照射を活用するなどにより、薄膜と厚膜プロセスを両立した作製技術を確立した。また、電子ビームを収束させるための新たなウェネルト電極構造を考案し、充分小さな電子ビーム形成の見込みを得た。
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