| 研究課題/領域番号 |
21360001
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
八百 隆文 東北大学, 学際科学国際高等研究センター, 客員教授 (60230182)
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| 研究分担者 |
後藤 武生 東北大学, 学際科学国際高等研究センター, 研究支援者 (10004342)
藤井 克司 東北大学, 学際科学国際高等研究センター, 客員准教授 (80444016)
李 賢宰 東北大学, 学際科学国際高等研究センター, 寄附研究部門研究員 (10584063)
小池 佳代 東北大学, 学際科学国際高等研究センター, 技術補佐員 (80532423)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
18,460千円 (直接経費: 14,200千円、間接経費: 4,260千円)
2011年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2010年度: 6,370千円 (直接経費: 4,900千円、間接経費: 1,470千円)
2009年度: 11,310千円 (直接経費: 8,700千円、間接経費: 2,610千円)
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| キーワード | 窒化物半導体 / LED / 紫外LED / ケミカル・リフト・オフ / 発光ダイオード(LED) / GaN / AlGaN / InGaN / CrN / ケミカルリフトオフ / 窒化 |
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| 研究概要 |
高い発光強度が必要な照明等のLED構造は縦型LED構造が望ましいが、絶縁体であるサファイアを基板として用いるため縦型構造作製が難しい。この問題解決として、我々は金属バッファー層とケミカル・リフト・オフ(CLO)技術によりサファイア基板を剥離して縦型高輝度紫外LEDを開発した。即ち、サファイア基板上に金属バッファーを用いて高品質GaNのMOVPE成長が実現し、GaN上に近紫外(385nm帯)発光InGaN/GaN/AlGaNLED構造を試作した。発光層InyGa1-yN/GaN量子井戸(QW)層中のIn組成の精密制御ならびにLEDの構造の最適化によりLED特性の大幅な向上も実現した。要するに、CLO法による縦型高輝度深紫外発光LED開発のフィージビリティーを示した。
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