| 研究課題/領域番号 |
21360168
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 名古屋大学 |
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研究代表者 |
水谷 孝 名古屋大学, 工学研究科, 教授 (70273290)
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| 研究分担者 |
岸本 茂 名古屋大学, 工学研究科, 助教 (10186215)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
18,330千円 (直接経費: 14,100千円、間接経費: 4,230千円)
2011年度: 3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
2010年度: 3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
2009年度: 10,530千円 (直接経費: 8,100千円、間接経費: 2,430千円)
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| キーワード | GaN / MISFET / ノーマリオフ / Al_2O_3, InGaN cap / 硫化アンモニウム処理 / gate firstプロセス / 高出力 / AlGaN/GaN / InGaN cap / 薄層GaN |
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| 研究概要 |
p-InGaN/AlGaN/GaN MISFET新構造を提案し、しきい値電圧として1. 2Vのノーマリオフ動作を実現した。さらに1nm厚のGaN薄層をp-InGaN capとAlGaNの間に挿入することにより、InGaN中V字型欠陥発生を抑制し、ゲートリーク電流の低減を実現した。
ゲート絶縁膜としては原子層堆積Al-2O-3とHfO-2を比較検討し、Al-2O-3の方が素子特性の点で優れていることを示した。またゲート絶縁膜形成前の硫化アンモニウム処理が、またオーミック電極用合金処理の前にゲート絶縁膜を形成するgate firstプロセスが過渡応答抑制に有効であることを示した。
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