| 研究課題/領域番号 |
21540305
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
素粒子・原子核・宇宙線・宇宙物理
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| 研究機関 | 諏訪東京理科大学 |
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研究代表者 |
武藤 英 諏訪東京理科大学, 共通教育センター, 准教授 (80434489)
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| 連携研究者 |
服部 俊幸 放射線医学総合研究所, 客員研究員 (50134648)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円)
2011年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2010年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2009年度: 3,380千円 (直接経費: 2,600千円、間接経費: 780千円)
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| キーワード | イオンビーム / スパッタリング / 原子核ターゲット / 荷電変換 / 加速器 / チャージ・ストリッパー / カーボン・フォイル / 炭素薄膜 |
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| 研究概要 |
我々はこれまで核子当たり100～ 200kev/uの重イオンビームのための長寿命荷電変換用炭素薄膜の開発を行って来た。このエネルギー領域の場合、必要膜厚は1～ 20.g/cm2であった。今回の開発では、高エネルギー負水素イオンおよび中高エネルギー重イオンのための50-100g/cm2の厚い炭素薄膜の開発を行った。これまで世界ではこのような厚い炭素膜の製作は、製作歩留まりが悪いことなどからイオンビームスパッタリング法で行われて来たことはなかった。
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