| 研究課題/領域番号 |
21540375
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
物性Ⅱ
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| 研究機関 | 独立行政法人産業技術総合研究所 |
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研究代表者 |
鬼頭 聖 独立行政法人産業技術総合研究所, 電子光技術研究部門, 主任研究員 (30356886)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2012
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| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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| 配分額 *注記 |
4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
2011年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2010年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2009年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
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| キーワード | 高圧合成 / ZrCuSiAs 型結晶構造 / SrCrAsF / ThCr_2Si_2 型結晶構造 / (Ca,K)Fe_2As_2 / ZrCuSiAs型結晶構造 / ThCr2Si2型結晶構造 / (Ca,K)Fe2As2 / 金属間化合物 / MgRuP / Co_2Si型結晶構造 / Fe2P型結晶構造 / 鉄砒素系超伝導体 / Fe_2P型結晶構造 / 鉄ヒ素系超伝導体 |
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| 研究概要 |
圧力場を利用し、 NdFeAsO_<1-y> 系新超伝導体に匹敵する、仮に匹敵しないまでも NdFeAsO_<1-y> 系新超伝導体と同等の性能を有する新超伝導体や LaCuOS , SrCuSF 化合物等と同等な特性をもつ新規透明電極材料の物質設計を実証する。本研究では、これまでに鉄砒素系新超伝導体の研究の中で得られた知見、経験を基に、超伝導に適するような物質設計を行い、合成・評価による実証研究を行う。
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