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低温超音波計測によるシリコン結晶の原子空孔濃度絶対値測定の研究

研究課題

研究課題/領域番号 21560012
研究種目

基盤研究(C)

配分区分補助金
応募区分一般
研究分野 応用物性・結晶工学
研究機関新潟大学

研究代表者

金田 寛  新潟大学, 超域学術院, 教授 (30418131)

連携研究者 後藤 輝孝  新潟大学, 自然科学研究科, 教授 (60134053)
根本 祐一  新潟大学, 自然科学系, 准教授 (10303174)
研究期間 (年度) 2009 – 2011
研究課題ステータス 完了 (2011年度)
配分額 *注記
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2011年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2010年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2009年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
キーワードシリコン / 原子空孔 / 絶対濃度 / 超音波 / 絶対温度
研究概要

現状の大学の実験室レベルの環境と設備においては,外部汚染を防止したうえでの熱処理によって熱平衡原子空孔を実現することや,熱処理後に十分な速度で熱平衡原子空孔を急冷凍結することは困難であるという結論に足した.そこで,十分な速度での試料急冷を実現するために,現状ブロック状試料の代わりに通常のデバイス製造用300mmウェーハから切り出された厚さの薄い試料でも超音波測定ができるような条件を見出した.それは,これまで測定していたCL[111]という弾性定数ではなく,C11という弾性定数を測定することによる.このように,試料として普通のデバイス製造用ウェーハが使えるようにできたことで,今後の実験においては,実験環境の清浄度や試料の加熱,速やかな冷却などが実現できる半導体製造用のプロセス装置(RTA装置: Rapid Thermal Annealer)が使えるようになった.今後の実験,同じ方針(実験原理)を維持しつつも,半導体ウェーハメーカと協力しながら, RTA装置によって,熱平衡原子空孔を凍結させた試料を作成する事を計画している.

報告書

(4件)
  • 2011 実績報告書   研究成果報告書 ( PDF )
  • 2010 実績報告書
  • 2009 実績報告書
  • 研究成果

    (51件)

すべて 2011 2010 2009 その他

すべて 雑誌論文 (9件) (うち査読あり 8件) 学会発表 (32件) 備考 (3件) 産業財産権 (7件) (うち外国 4件)

  • [雑誌論文] Quadrupole Wffects of Vacancy Orbital in Boron-Doped Silicon2011

    • 著者名/発表者名
      Baba, T. Goto, Y. Nagai, M. Mitsumoto, M. Akatsu, H. Watanabe, K. Mitsumoto, T. Ogawa, Y. Nemoto, and H. Yamada-Kaneta
    • 雑誌名

      J. Phys. Soc. Jpn.

      巻: 80 ページ: 94601-94601

    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Second Harmonic Vibrational Mode of Substitional Carbon in Cast-Grown Multicrystalline Silicon2011

    • 著者名/発表者名
      H. Ono and H. Yamada-Kaneta
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Express

      巻: 4 ページ: 51401-51401

    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Quadrupole Effects of Vacancy Orbital in Boron-Doped Silicon2011

    • 著者名/発表者名
      Shotaro Baba, Terutaka Goto, Yuta Nagai, Mitsuhiro Akatsu, Hajime Watanabe, Keisuke Mitsumoto, Takafumi Ogawa, Yuichi Nemoto, Hiroshi Yamada-Kaneta
    • 雑誌名

      J.Phys.Soc.Jpn.

      巻: 80 号: 9 ページ: 94601-8

    • DOI

      10.1143/jpsj.80.094601

    • NAID

      210000109197

    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Practical method and physics of evaluation for vacancy concentration of silicon crystals by means of low-temperature elastic softening2011

    • 著者名/発表者名
      H.Yamada-Kaneta, S.Baba, Y.Nagai, M.Akatsu, K.Mitsumoto, T.Yanase, K.Okabe, Y.Ono, Y.Nemoto, T.Goto
    • 雑誌名

      ECS Transactions

      巻: 33(招待論文) ページ: 63-72

    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Practical method and physics of evaluation for vacancy concentration of silicon crystals by means of low-tempature elastic softening2010

    • 著者名/発表者名
      H. Yamada-Kaneta, S. Baba, Y. Nagai, M. Akatsu, K. Mitsumoto, T. Yanase, K. Okabe, Y. Ono, Y. Nemoto, T. Goto
    • 雑誌名

      ECS Transactions

      巻: 33 ページ: 63-72

    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Practical method and physics of evaluation for vacancy concentration of silicon crystals by means of low-temperature elastic softening2010

    • 著者名/発表者名
      H. Yamada-Kaneta, S. Baba, Y. Nagai, M. Akatsu, K. Mitsumoto, T. Yanase, K. Okabe, Y. Ono, Y. Nemoto, T. Goto
    • 雑誌名

      ECS Fall Meeting October

      巻: 218 ページ: 10-15

    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [雑誌論文] Practical method and physics of evaluation for vacancy concentration of silicon crystals by measuring low-temperature elastic softening2010

    • 著者名/発表者名
      Hiroshi Yamada-Kaneta, Shotaro Baba, Yuta Nagai, Mitsuhiro A katsu, Keisuke Mitsumoto, Taka shi Yanase, Kazuki Okabe, Yasushi Ono, Yuichi Nemoto, Teruta ka Goto
    • 雑誌名

      ECS(Electro Chemical Society)Transaction

      巻: 33 ページ: 63-72

    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Low-temperature elastic softening due to vacancies in boron-doped FZ silicon crystals2010

    • 著者名/発表者名
      H.Yamada-Kaneta, H.Watanabe, Y.Nagai, S.Baba, M.Akatsu, Y.Nemoto, T.Goto
    • 雑誌名

      Solid State Phenomena 156-158

      ページ: 135-138

    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Ultrasonic Study of Vacancy in Single Crystal Silicon at Low Temperatures2009

    • 著者名/発表者名
      M. Akatsu, T. Goto, H. Yamada-Kaneta, H. Watanabe, Y. Nemoto, K. Mitsumoto, S. Baba, Y. Nagai, S. Nakamura
    • 雑誌名

      J. Phys. Conf. Series

      巻: 150 ページ: 420021-4

    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [学会発表] 第一原理分子動力学法よるシリコン原子空孔の電子状態解析2011

    • 著者名/発表者名
      小川貴史, 鶴田健二, 家富洋, 根本祐一, 金田寛, 後藤輝孝
    • 学会等名
      第24回分子シミュレーション討論会
    • 発表場所
      福井県県民ホール
    • 年月日
      2011-11-25
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] ボロン添加シリコンの原子空孔軌道と横波弾性定数C44の異方的な磁場依存性2011

    • 著者名/発表者名
      馬場正太郎,赤津光洋,三本啓輔,小松悟,堀江邦彦,根本祐一,金田寛A,後藤輝孝
    • 学会等名
      日本物理学会2011年秋季大会
    • 発表場所
      富山大学五福キャンパス
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書 2011 研究成果報告書
  • [学会発表] 横波超音波計測によるボロン添加シリコンの原子空孔軌道の研究2011

    • 著者名/発表者名
      小松悟, 馬場正太郎, 堀江邦彦, 赤津光洋, 三本啓輔, 小川貴史, 根本祐一, 金田寛, 後藤輝孝
    • 学会等名
      日本物理学会第66回春季大会
    • 発表場所
      新潟大学
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] 第一原理分子動力学法よるシリコン原子空孔の電子状態解析2010

    • 著者名/発表者名
      小川貴史,鶴田健二,家富洋,根本祐一,金田寛,後藤輝孝
    • 学会等名
      第24回分子シミュレーション討論会
    • 発表場所
      福井県県民ホール
    • 年月日
      2010-11-25
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [学会発表] DFT計算によるシリコン単原子空孔の局在電子軌道の解析2010

    • 著者名/発表者名
      小川貴史, 鶴田健二, 家富洋, 根本祐一, 金田寛, 後藤輝孝
    • 学会等名
      日本物理学会2010年秋季大会
    • 発表場所
      大阪府立大学
    • 年月日
      2010-09-26
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] 第一原理計算によるシリコン単原子空孔の局在電子状態2010

    • 著者名/発表者名
      小川貴史,鶴田健二,家富洋,根本祐一,金田寛,後藤輝孝
    • 学会等名
      第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学文教キャンパス
    • 年月日
      2010-09-16
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書 2010 実績報告書
  • [学会発表] ボロン添加FZシリコンの原子空孔軌道の四極子効果II2010

    • 著者名/発表者名
      永井勇太, 馬場正太郎, 赤津光洋, 小松悟, 三本啓輔, 小川貴史, 根本祐一, 金田寛, 後藤輝孝
    • 学会等名
      日本物理学会 第65回年次大会
    • 発表場所
      岡山大学津島キャンパス
    • 年月日
      2010-03-20
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] 超音波計測を用いたボロン添加FZシリコンの原子空孔観測東海大学湘南キャンパス2010

    • 著者名/発表者名
      馬場正太郎, 永井勇太, 赤津光洋, 小松悟, 三本啓輔, 根本祐一, 金田寛, 後藤輝孝
    • 学会等名
      春季 第57回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東海大学湘南キャンパス
    • 年月日
      2010-03-17
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] シリコン原子空孔評価:P(VDF/TrFE)圧電薄膜を用いたシリコン単結晶の超音波測定2010

    • 著者名/発表者名
      三本啓輔, 岡部和樹, 柳瀬隆史, 赤津光洋, 馬場正太郎, 永井勇太, 小松悟, 小野恭史, 根本祐一, 金田寛, 後藤輝孝
    • 学会等名
      春季 第57回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東海大学湘南キャンパス
    • 年月日
      2010-03-17
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] 低温超音波計測によるボロン添加シリコン中の原子空孔観測2010

    • 著者名/発表者名
      小松悟,馬場正太郎,赤津光洋,三本啓輔,小川貴史,根本祐一,金田寛,後藤輝孝
    • 学会等名
      第6回シリコンフォーラム岡山会議
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [学会発表] Electric quadrupole effects of vacancyorbital in boron-doped silicon2010

    • 著者名/発表者名
      S. Baba, Y. Nagai, M. Akatsu, S. Komatsu, K. Mitsumoto, T. Ogawa, Y. Nemoto, H. Yamada-Kaneta, T. Goto
    • 学会等名
      第6回シリコンフォーラム岡山会議
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [学会発表] Practical evaluation of vacansy concentration in sillicon crystals and wafers by ultrasonic measurements with organic P(VDF/TrFE) transducers2010

    • 著者名/発表者名
      K. Okabe, K. Mitsumoto, T. Yanase, M. Akatsu, S. Baba, S. Komatsu, Y. Ono, Y. Nemoto, H. Y. Kaneta, T. Goto
    • 学会等名
      第6回シリコンフォーラム岡山会議
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [学会発表] Ab-initio evaluation of quadrupole moment associated with silicon mono-vacancy(シリコン単原子空孔における電気四極子の第一原理的評価)2010

    • 著者名/発表者名
      Takafumi Ogawa, Kenji Tsuruta, Hiroshi Iyetomi, Yuichi Nemoto, Hiroshi Yamada-Kaneta, Terutaka Goto
    • 学会等名
      第6回シリコンフォーラム岡山会議
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [学会発表] DFT計算によるシリコン単原子空孔の局在電子軌道の解析2010

    • 著者名/発表者名
      小川貴史,鶴田健二,家富洋,根本祐一,金田寛,後藤輝孝
    • 学会等名
      日本物理学会秋季大会
    • 発表場所
      大阪府立大学中百舌鳥キャンパス
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [学会発表] Magnetic-field-dependence of low-temperature elastic softening of the vacancies in boron-doped silicon crystals2010

    • 著者名/発表者名
      S.Baba, Y.Nagai, M.Akatsu, S.Komatsu, K.Mitsumoto, Y.Ne moto, H.Yamada-Kaneta, T.Goto
    • 学会等名
      European Materials Research Society (E-MRS) 2010 Spring Meeting
    • 発表場所
      Strasbourg, France
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] Observation of elastic softening due to vacancy orbitals in B-doped FZ Si by ultrasonic measurements with copolymer transducers2010

    • 著者名/発表者名
      K.Mitsumoto, K.Okabe, T.Yanase, M.Akatsu, S.Baba, Y.Nagai, S.Komatsu, Y.Ono, Y.Nemoto, H.Kaneta, T.Goto
    • 学会等名
      European Materials Research Society (E-MRS) 2010 Spring Meeting
    • 発表場所
      Strasbourg, France
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] Ab-initio evaluation of quadrupole moment associated with silicon mono-vacancy(シリコン単原子空孔における電気四極子の第一原理的評価)2010

    • 著者名/発表者名
      Takafumi Ogawa, Kenji Tsuruta, Hiroshi Iyetomi, Yuichi Nemoto,Hiroshi Yamada-Kaneta, Terutaka Goto
    • 学会等名
      第6回シリコンフォーラム岡山会議
    • 発表場所
      岡山大学
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] Electric quadrupole effects of vacancy orbital in boron-doped silicon B Center for quantum materials science, Niigata Univ2010

    • 著者名/発表者名
      S.Baba, Y.Nagai, M.Akatsu, S Komatsu, K.Mitsumoto, T.Ogawa, Y.Nemoto, H.Yamada-Ka neta, T.Goto
    • 学会等名
      第6回シリコンフォーラム岡山会議
    • 発表場所
      岡山大学
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] 低温超音波計測によるボロン添加シリコン中の原子空孔観測2010

    • 著者名/発表者名
      小松悟, 馬場正太郎, 赤津光洋, 三本啓輔, 小川貴史, 根本祐一, 金田寛, 後藤輝孝
    • 学会等名
      第6回シリコンフォーラム岡山会議
    • 発表場所
      岡山大学
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] Density-Functional-Analysis on Vacancy Orbital and its Elastic Response of Silicon2009

    • 著者名/発表者名
      Tatafumi ogawa, Kenji Tsuruta, Hiroshi Iyetomi, Hiroshi Y Kaneta, Terutaka Goto
    • 学会等名
      Material research society 2009 fall meeting
    • 発表場所
      Boston, USA
    • 年月日
      2009-11-30
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] Low-temperature elastic softening due to vacancies in B-doped FZ Si crystals2009

    • 著者名/発表者名
      H.Yamada-Kaneta, H.Watanbe, Y.Nagai, S.Baba, M.Akatsu, Y.Nemoto, T.Goto
    • 学会等名
      Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology-GADEST 2009
    • 発表場所
      North of Berlin, Germany
    • 年月日
      2009-09-27
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] B-doped FZ Siの原子空孔軌道の四極子効果2009

    • 著者名/発表者名
      永井勇太, 馬場正太郎, 赤津光洋, 小松悟, 渡邊肇, 三本啓輔, 小川貴史, 根本祐一, 中村慎太郎,金田寛, 後藤輝孝
    • 学会等名
      日本物理学会2009年秋季大会
    • 発表場所
      熊本大学黒髪キャンパス
    • 年月日
      2009-09-25
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] ボロン添加FZシリコンの弾性定数の磁気異方性2009

    • 著者名/発表者名
      馬場正太郎, 永井勇太, 赤津光洋, 小松悟, 渡邊肇, 三本啓輔, 小川貴史, 根本祐一, 中村慎太郎, 金田寛, 後藤輝孝
    • 学会等名
      日本物理学会2009年秋季大会
    • 発表場所
      熊本大学黒髪キャンパス
    • 年月日
      2009-09-25
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] 低温超音波計測によるシリコン原子空孔評価-その物理と実用評価技術2009

    • 著者名/発表者名
      H.Yamada-Kaneta, H.Watanbe, Y.Nagai, S.Baba, M.Akatsu, Y.Nemoto, T.Goto
    • 学会等名
      第19回格子欠陥フォーラム「半導体格子欠陥の最前線」
    • 発表場所
      九州大学応用力学研究所
    • 年月日
      2009-09-24
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] Characteristic Aspects of Low-Temperature Elastic Softening Due to Vacancies in Boron-Doped FZ Silicon Crystals2009

    • 著者名/発表者名
      H.Yamada-Kaneta, H.Watanbe, Y.Nagai, S.Baba, M.Akatsu, Y.Nemoto, T.Goto
    • 学会等名
      13th International Conference on Defects Recognition Imaging and Physics in Semiconductors (DRIR XIII)
    • 発表場所
      Wheeling, West Virginia, USA
    • 年月日
      2009-09-15
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] 超音波によるB添加FZシリコンの原子空孔の電荷状態の研究2009

    • 著者名/発表者名
      永井勇太, 馬場正太郎, 赤津光洋, 小松悟, 渡邊肇, 三本啓輔, 小川貴史, 根本祐一, 金田寛, 後藤輝孝
    • 学会等名
      2009年秋季第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学
    • 年月日
      2009-09-10
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] シリコン原子空孔:試料への直接塗布によるP(VDF/TrFE)圧電薄膜の作成2009

    • 著者名/発表者名
      岡部和樹, 三本啓輔, 柳瀬隆史, 赤津光洋, 小野恭史, 根本祐一, 金田寛, 後藤輝孝
    • 学会等名
      2009年秋季第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学
    • 年月日
      2009-09-10
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] シリコン原子空孔評価:P(VDF/TrFE)圧電薄膜を用いたシリコン単結晶の超音波測定2009

    • 著者名/発表者名
      三本啓輔, 岡部和樹, 柳瀬隆史, 赤津光洋, 小野恭史, 根本祐一, 金田寛, 後藤輝孝
    • 学会等名
      2009年秋季第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学
    • 年月日
      2009-09-10
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] Quadrupole Effects of Vacancy Orbital in Boron-Doped Silicon2009

    • 著者名/発表者名
      T.Goto, M.Akatsu, H.Watanabe, Y.Nagai, S.Baba, Y.Nemoto, H.Yamada-Kaneta, I.Ishii, T.Ogawa, K.Mitsumoto
    • 学会等名
      The International Conference on Magnetism-ICM 2009
    • 発表場所
      Karlsruhe, Germany
    • 年月日
      2009-07-29
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] Observation of vacancy in crystalline silicon by ultrasonic measurements with piezoelectric copolymer trandsducers2009

    • 著者名/発表者名
      K.Mitsumoto, T.Yanase, K.Okabe, M.Akatsu, H.Watanabe, Y.Nagai, S.Baba, Y.Ono, Y.Negai, S.Baba, Y.Ono, Y.Nemoto, H.Y-Kaneta, T.Goto
    • 学会等名
      25^<th> International Conference on Defects in Semiconductors
    • 発表場所
      St Petersburg, Russia
    • 年月日
      2009-07-21
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] Characteristic aspects of elastic softening due to vacancies in boron-doped FZ silicon observed by low-temperature ultrasonic measurements2009

    • 著者名/発表者名
      H.Yamada-Kaneta, H.Watanbe, Y.Nagai, S.Baba, M.Akatsu, Y.Nemoto, T.Goto
    • 学会等名
      25^<th> International Conference on Defects in Semiconductors
    • 発表場所
      St Petersburg, Russia
    • 年月日
      2009-07-20
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] 分子動力学法によるシリコン原子空孔周囲の歪場解析2009

    • 著者名/発表者名
      小川貴史, 鶴田健二^A, 家富洋, 金田寛, 後藤輝孝
    • 学会等名
      第19回日本MRS学術シンポジウム
    • 発表場所
      横浜情報文化センター
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [備考]

    • URL

      http://www.sc.niigata-u.ac.jp/goto/

    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [備考]

    • URL

      http://www.sc.niigata-u.ac.jp/goto/

    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [備考]

    • URL

      http://www.sc.niigata-u.ac.jp/goto/

    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [産業財産権] シリコンウェーハ中に存在する原子空孔の定量評価装置および方法2011

    • 発明者名
      後藤輝孝、根本祐一、金田寛、宝耒正隆
    • 権利者名
      国立大学法人新潟大学、株式会社SUMCO
    • 出願年月日
      2011-10-18
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
    • 外国
  • [産業財産権] CZ法によるSi単結晶インゴットの製造方法2011

    • 発明者名
      後藤輝孝、根本祐一、金田寛、宝耒正隆
    • 権利者名
      国立大学法人新潟大学、株式会社SUMCO
    • 取得年月日
      2011-04-26
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
    • 外国
  • [産業財産権] シリコンウェーハ中に存在する原子空孔濃度の定量評価方法、シリコンウェーハの製造方法、および当該製造方法により製造したシリコンウェーハ2010

    • 発明者名
      後藤輝孝、金田寛、根本祐一、赤津光洋
    • 権利者名
      国立大学法人新潟大学
    • 産業財産権番号
      2010-529866
    • 出願年月日
      2010-08-19
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [産業財産権] シリコンウェーハ中に存在する原子空孔濃度の定量評価方法、シリコンウェーハの製造方法、および当該製造方法により製造したシリコンウェーハ2010

    • 発明者名
      後藤輝孝、金田寛、根本祐一、赤津光洋
    • 権利者名
      国立大学法人新潟大学
    • 出願年月日
      2010-08-31
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
    • 外国
  • [産業財産権] シリコンウェーハ中に存在する原子空孔濃度の定量評価方法、シリコンウエーハの製造方法、および当該製造方法により製造したシリコンウェーハ2010

    • 発明者名
      後藤輝孝、金田寛、根本祐一、赤津光洋
    • 権利者名
      国立大学法 人新潟大学
    • 出願年月日
      2010-08-19
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [産業財産権] シリコンウェーバ中に存在する原子空孔濃度の定量評価方法、シリコンウエーハの製造方法、および当該製造方法により製造したシリコンウェーハ2010

    • 発明者名
      後藤輝孝、金田寛、根本祐一、赤津光洋
    • 権利者名
      国立大学法 人新潟大学
    • 出願年月日
      2010-08-31
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
    • 外国
  • [産業財産権] シリコンウェーハ中に存在する原子空孔濃度の定量評価方法、シリコンウェーハの製造方法、および当該製造方法により製造したシリコンウェーハ2009

    • 発明者名
      後藤輝孝、金田寛、根本祐一、赤津光洋
    • 権利者名
      国立大学法人 新潟大学
    • 産業財産権番号
      2009-206397
    • 出願年月日
      2009-09-07
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書

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公開日: 2009-04-01   更新日: 2016-04-21  

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