| 研究課題/領域番号 |
21560031
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 山梨大学 |
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研究代表者 |
佐藤 哲也 山梨大学, クリーンエネルギー研究センター, 准教授 (60252011)
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| 研究分担者 |
中川 清和 山梨大学, 大学院・医学工学総合研究部, 教授 (40324181)
宮嶋 尚哉 山梨大学, 大学院・医学工学総合研究部, 助教 (20345698)
山中 淳二 山梨大学, 大学院・医学工学総合研究部, 准教授 (20293441)
有元 圭介 山梨大学, 大学院・医学工学総合研究部, 准教授 (30345699)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2011年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2010年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2009年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
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| キーワード | カーボン / 非晶質 / 電子衝撃 / 薄膜 / 極低温 / トネンル / メタン / 水素原子 / 低速電子 / 欠陥密度 / アモルファス / トンネル / DLC / トンネル現象 / 低温 |
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| 研究概要 |
水素原子の関与するトンネル反応と低速電子誘起反応を利用して、メタンガスを試料ガスとしてカーボン薄膜を極低温に冷却した基板上に合成した。カーボン膜の結合水素濃度(C_H)は約1%～6%と低く、光学バンドギャップは水素濃度に大きく依存し0. 9～2. 5eVと変化した。欠陥密度はC_Hが高くなるにつれ減少し、sp^2クラスターがほとんど無い場合に10^<18>(spins/cm^3)以下に軽減することができた。
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