| 研究課題/領域番号 |
21560352
|
|---|
| 研究種目 |
基盤研究(C)
|
| 配分区分 | 補助金 |
|---|
| 応募区分 | 一般 |
|---|
| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
|
|---|
| 研究機関 | 福井大学 |
|---|
研究代表者 |
塩島 謙次 福井大学, 大学院・工学研究科, 准教授 (70432151)
|
|---|
| 研究分担者 |
橋本 明弘 福井大学, 大学院・工学研究科, 准教授 (10251985)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2009 – 2011
|
| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
|
| 配分額 *注記 |
4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2011年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2010年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2009年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
|
|---|
| キーワード | グラフェン / 表面保護 / 電子デバイス / GaN |
|---|
| 研究概要 |
未結合手をもたない原子層オーダーの薄いグラフェン表面保護膜をGaN表面に形成する構造を提案し、GaN系電子デバイスの高駆動力化、高速化、高集積化を推進すること目的とする検討を行った。SiC基板上から転写することによる数ミリ角の大面積高品質グラフェン膜の形成、および酸素プラズマを用いたエッチング技術の確立を達成し、グラフェンを介在したショットキー電極で障壁高さが低下することを示した。
|
