| 研究課題/領域番号 |
21560371
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 神奈川大学 |
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研究代表者 |
水野 智久 神奈川大学, 理学部, 教授 (60386810)
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| 研究分担者 |
鮫島 俊之 東京農工大学, 共生科学技術研究院, 教授 (30271597)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2011年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2010年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2009年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
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| キーワード | 電子デバイス / 集積回路 / 半導体物性 / マイクロ・ナノデバイス |
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| 研究概要 |
将来の高速CMOS素子を目指したソースへテロ構造(ソース/チャネル間のエネルギー差を利用してキャリア速度の増大を実現)として,同一半導体上に緩和/歪み層による急峻なへテロ構造を簡易な方法で初めて実現した. n及びpチャネル用のソースへテロ構造は,それぞれ歪みSOI及びSGOI基板上にそれぞれ部分的にO+またはH+イオン注入を行い,その反跳エネルギーによって,注入部分の歪み層の埋め込み酸化膜界面滑りに伴い,歪みを緩和させることにより作製できた.
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