| 研究課題/領域番号 |
21710135
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
マイクロ・ナノデバイス
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| 研究機関 | 群馬大学 |
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研究代表者 |
イン ユウ 群馬大学, 大学院・工学研究科, 助教 (10520124)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2011年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2010年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
2009年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
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| キーワード | 相変化メモリ / 微細化 / 低消費電力 / 不揮発メモリ / ナノ / 縮小化 / 電子線描画 / ナノワイヤ |
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| 研究概要 |
本研究では、エッチングとリフトオフを用いてナノワイヤ相変化メモリを作製し、評価した。また、超高密度低消費電力相変化メモリセルを開発するため,ブロックコポリマー自己組織化と2ステップエッチングにより相変化TiN/Ge2Sb2Te5(GST)/TiNナノ素子列(207Gbit/in2)を加工し,メモリの電気特性を評価した。1.8V, 100nsのパルスで100μAという低リセット電流でアモルファス化させることに成功した。
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