| 研究課題/領域番号 |
21760019
|
|---|
| 研究種目 |
若手研究(B)
|
| 配分区分 | 補助金 |
|---|
| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
|
|---|
| 研究機関 | 独立行政法人産業技術総合研究所 |
|---|
研究代表者 |
内田 紀行 独立行政法人産業技術総合研究所, ナノ電子デバイス研究センター, 研究員 (60400636)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2009 – 2010
|
| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
|
| 配分額 *注記 |
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2010年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2009年度: 3,120千円 (直接経費: 2,400千円、間接経費: 720千円)
|
|---|
| キーワード | ナノ材料 / 半導体超微細化 / 半導体物性 / 表面・界面物性 / 物性実験 / ナシ材料 |
|---|
| 研究概要 |
遷移金属を内包したSiクラスター(MSi_n:M=Nb,Mo,and W)は、その構造安定性から、人工元素としてビルディングブロックとして利用することで、新規シリサイド材料を形成することが期待できる。これを実証するために、本研究では、WSi_<10>膜をSi(100)-2x1表面に形成し、主に、走査型電子顕微鏡観察や、電子エネルギー損失分光、X線光電子分光を用いて、熱処理に伴う、WSi_<10>膜の構造や電子状態の変化について調べた。その結果、500℃の熱処理を行ったとき、WSi_<10>膜とSi基板界面に、約1nmの厚さのエピタキシャル層、つまり、原子層シリサイド材料が形成され、さらに、WSi_<10>膜がエネルギーギャップを持つ半導体であることが判明した。このように、WSi_<10>膜を用いて、Si上に原子層シリサイド半導体が形成できることを実証した。
|
