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第一原理計算に基づいたドーパントレベルの定量化と材料機能設計

研究課題

研究課題/領域番号 21760517
研究種目

若手研究(B)

配分区分補助金
研究分野 金属物性
研究機関京都大学

研究代表者

大場 史康  京都大学, 工学研究科, 准教授 (90378795)

研究期間 (年度) 2009 – 2010
研究課題ステータス 完了 (2010年度)
配分額 *注記
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2010年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2009年度: 2,860千円 (直接経費: 2,200千円、間接経費: 660千円)
キーワードドーパント / 点欠陥 / 半導体 / 第一原理計算 / 電子状態 / 酸化物 / 窒化物
研究概要

ドーパントや固有点欠陥の電子レベルは,ドーパント・固有点欠陥由来の電気,光学,磁気特性を制御・設計する上で最も基本的な情報である.本研究では,半導体や絶縁体中のドーパントおよび固有点欠陥の電子レベルを,第一原理計算に基づいて定量的に評価する手法を確立した.また,この手法を種々の機能性酸化物や化合物半導体などに応用することで,ドーパント・固有点欠陥由来の機能を予測した.

報告書

(3件)
  • 2010 実績報告書   研究成果報告書 ( PDF )
  • 2009 実績報告書
  • 研究成果

    (26件)

すべて 2010 2009 その他

すべて 雑誌論文 (11件) (うち査読あり 11件) 学会発表 (15件)

  • [雑誌論文] Native defects in oxide semiconductors : A density functional approach2010

    • 著者名/発表者名
      F.Oba, M.Choi, A.Togo, A.Seko, I.Tanaka
    • 雑誌名

      J.Phys. : Condens. Matter 22

    • 関連する報告書
      2010 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Doping of hexagonal boron nitride via intercalation: A theoretical prediction2010

    • 著者名/発表者名
      F.Oba, A.Togo, I.Tanaka, K.Watanabe, T.Taniguchi
    • 雑誌名

      Phys. Rev.B 81

    • NAID

      120002462971

    • 関連する報告書
      2010 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Native defects in oxide semiconductors : A density functional approach2010

    • 著者名/発表者名
      F.Oba, M.Choi, A.Togo, A.Seko, I.Tanaka
    • 雑誌名

      J.Phys.: Condens.Matter

      巻: 22

    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Doping of hexagonal boron nitride via intercalation : A theoretical prediction2010

    • 著者名/発表者名
      F.Oba, A.Togo, I.Tanaka, K.Watanabe, T.Taniguchi
    • 雑誌名

      Phys.Rev.B 81

    • NAID

      120002462971

    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Role of Ti antisite-like defects in SrTiO32009

    • 著者名/発表者名
      M.Choi, F.Oba, I.Tanaka
    • 雑誌名

      Phys. Rev. Lett. 103

    • 関連する報告書
      2010 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Role of Ti antisite-like defects in SrTiO32009

    • 著者名/発表者名
      M.Choi, F.Oba, I.Tanaka
    • 雑誌名

      Phys.Rev.Lett. 103

    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Point defects in ZnO: An approach from first principles

    • 著者名/発表者名
      F.Oba, M.Choi, A.Togo, I.Tanaka
    • 雑誌名

      Sci. Tech. Adv. Mater. (in press)

    • 関連する報告書
      2010 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Electronic and structural properties of the oxygen vacancy in BaTiO3

    • 著者名/発表者名
      M.Choi, F.Oba, I.Tanaka
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett. (in press)

    • 関連する報告書
      2010 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Hybrid density functional study of oxygen vacancies in KTaO3 and NaTaO3

    • 著者名/発表者名
      M.Choi, F.Oba, I.Tanaka
    • 雑誌名

      Phys. Rev.B (in press)

    • 関連する報告書
      2010 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Point defects in ZnO : An approach from first principles

    • 著者名/発表者名
      F.Oba, M.Choi, A.Togo, I.Tanaka
    • 雑誌名

      Sci.Tech.Adv.Mater.

      巻: (印刷中)

    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Electronic and structural properties of the oxygen vacancy in BaTiO_3

    • 著者名/発表者名
      M.Choi, F.Oba, I.Tanaka
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett.

      巻: (印刷中)

    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
    • 査読あり
  • [学会発表] Density functional approach to point defects in oxide semiconductors (invited)2010

    • 著者名/発表者名
      F.Oba
    • 学会等名
      3rd International Congress on Ceramics (ICC3)
    • 発表場所
      Osaka.
    • 年月日
      2010-11-15
    • 関連する報告書
      2010 研究成果報告書
  • [学会発表] Density functional approach to point defects in oxide semiconductors2010

    • 著者名/発表者名
      F.Oba
    • 学会等名
      3rd International Congress on Ceramics (ICC3)
    • 発表場所
      大阪
    • 年月日
      2010-11-15
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] Role of Ti antisites and O vacancies in SrTiO_3, BaTiO_3, and PbTiO_32010

    • 著者名/発表者名
      M.Choi, F.Oba, I.Tanaka
    • 学会等名
      日本金属学会2010年秋期大会
    • 発表場所
      札幌市
    • 年月日
      2010-09-27
    • 関連する報告書
      2010 研究成果報告書
  • [学会発表] Point defects in oxide semiconductors : A density functional approach (invited)2010

    • 著者名/発表者名
      F.Oba
    • 学会等名
      4th International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics (STAC-4)
    • 発表場所
      Yokohama.
    • 年月日
      2010-06-23
    • 関連する報告書
      2010 研究成果報告書
  • [学会発表] Point defects in oxide semiconductors : A density functional approach2010

    • 著者名/発表者名
      F.Oba
    • 学会等名
      4th International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics (STAC-4)
    • 発表場所
      横浜
    • 年月日
      2010-06-23
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] Energetics and electronic structure of native defects and dopants in ZnO (invited)2010

    • 著者名/発表者名
      F.Oba
    • 学会等名
      12th International Ceramics Congress, CIMTEC 2010
    • 発表場所
      Montecatini Terme.
    • 年月日
      2010-06-10
    • 関連する報告書
      2010 研究成果報告書
  • [学会発表] Energetics and electronic structure of native defects and dopants in ZnO2010

    • 著者名/発表者名
      F.Oba
    • 学会等名
      12th International Ceramics Congress
    • 発表場所
      モンティカティーニ・テルメ
    • 年月日
      2010-06-10
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] 酸化物半導体における点欠陥の原子・電子構造-第一原理計算によるアプローチ2010

    • 著者名/発表者名
      大場史康
    • 学会等名
      日本物理学会第65回年次大会
    • 発表場所
      岡山市
    • 年月日
      2010-03-21
    • 関連する報告書
      2010 研究成果報告書
  • [学会発表] 酸化物半導体における点欠陥の原子・電子構造-第一原理計算によるアプローチ2010

    • 著者名/発表者名
      大場史康
    • 学会等名
      日本物理学会 第65回年次大会
    • 発表場所
      岡山市
    • 年月日
      2010-03-21
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] 第一原理計算による酸化物半導体の点欠陥量子構造の設計(招待講演)2009

    • 著者名/発表者名
      大場史康
    • 学会等名
      第19回日本MRS学術シンポジウム
    • 発表場所
      横浜市
    • 年月日
      2009-12-08
    • 関連する報告書
      2010 研究成果報告書
  • [学会発表] First-principles study on Ti antisite-like defects in strontium titanate2009

    • 著者名/発表者名
      M.Choi, F.Oba, I.Tanaka
    • 学会等名
      日本MRS学術シンポジウム
    • 発表場所
      横浜市
    • 年月日
      2009-12-08
    • 関連する報告書
      2010 研究成果報告書
  • [学会発表] 第一原理計算による酸化物半導体の点欠陥量子構造の設計2009

    • 著者名/発表者名
      大場史康
    • 学会等名
      日本MRS
    • 発表場所
      横浜市
    • 年月日
      2009-12-08
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] Doping of hexagonal boron nitride via intercalation : A first-principles study2009

    • 著者名/発表者名
      F.Oba, A.Togo, I.Tanaka, K.Watanabe, T.Taniguchi
    • 学会等名
      2009 MRS Fall Meeting
    • 発表場所
      Boston.
    • 年月日
      2009-11-30
    • 関連する報告書
      2010 研究成果報告書
  • [学会発表] Point defects in oxide semiconductors : An approach from first principles (invited)2009

    • 著者名/発表者名
      F.Oba
    • 学会等名
      The 3rd Theory Meets Industry International Workshop
    • 発表場所
      Nagoya.
    • 年月日
      2009-11-13
    • 関連する報告書
      2010 研究成果報告書
  • [学会発表] Point Defects in Oxide Semiconductors : An Approach from First Principles2009

    • 著者名/発表者名
      F.Oba
    • 学会等名
      The 3rd Theory Meets Industry International Workshop
    • 発表場所
      名古屋市
    • 年月日
      2009-11-13
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書

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公開日: 2009-04-01   更新日: 2016-04-21  

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