配分額 *注記 |
4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
2010年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
2009年度: 2,600千円 (直接経費: 2,000千円、間接経費: 600千円)
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研究概要 |
電気磁気効果を発現するα-Cr_2O_3/強磁性積層膜の,結晶構造と界面磁性について検討した.高い垂直交換バイアスの発現には,α-Cr_2O_3と強磁性層の面内原子配列,α-Cr_2O_3の結晶性が重要であることが分かった.垂直交換バイアスとして,約0.3erg/cm^2を達成し,従来の最高の値を実現した.これらの結果から,α-Cr_2O_3は,レアメタルフリー低消費電力不揮発メモリに向けた有望な材料であることを見出した.
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